在ARM9内核的开发中，烧录和仿真BootLoader程序一直是研发工程师头痛的事情。原因是没有高效的BootLoader下载程序和模仿BootLoader加载的仿真。因此整个BootLoader的调试开发效率不高。
    TKScope支持ARM芯片不同形式的BootLoader仿真／烧录。例如，NXP公司LPC3000系列芯片可选择从不同的外部设备启动：NAND Flash、SPI存储器、USB、UART或静态存储器。其中，NAND Flash、SPI存储器启动方法比较常用。本文以LPC3000系列芯片为例，详细讲解TK-Scope仿真／烧录NAND Flash、SPI存储器的启动方法。LPC3000系列芯片NAND Flash、SPI存储器启动原理是一样的：芯片上电复位后，通过片内BootLoader把外部存储设备中的程序装载到内部的RAM中执行。

1 实现NAND Flash启动仿真／烧录方法
    TKScope仿真之前需要正确地设置工作参数，用户可参考使用指南，这里只强调需要特别注意的两项设置。
    ①[主要设置]选项。如图1所示，要特别注意的是复位恢复时间的设置。图1中的复位恢复时间就是Boot-Loader把NAND Flash中的程序装载到芯片内部RAM中的时间。时间值由用户根据程序的大小来设定。

    ②[程序烧写]选项。如图2所示，要特别注意的是Flash算法的选择。LPC3000系列芯片内部无Flash，所以编程算法中没有Flash算法文件。选择NAND Flash启动，需要添加外部NAND Flash算法文件。

    单击[添加算法]按钮，打开TKScope驱动安装目录下的ExtFlash文件夹，找到LPC3000系列芯片NANDFlash启动算法文件(路径为 TKScope＼configuration＼Ext-Flash)，如图3所示。可以看到NAND Flash算法文件有2种，用户需要根据实际使用的NAND Flash类型来选择。其中：LPC3000_NAND_2KBytesPage．flm为大页NAND Flash算法文件；LPC3000_NAND_512BytesPage．flm为小页NAND Flash算法文件。NAND Flash算法文件添加完毕后，界面如图4所示。注意：此时，Flash起始地址默认为0x80000000，需要手动修改为0x00000000。

    程序烧写的最终界面如图5所示，NAND Flash起始地址为Ox00000000。注意：[编程Flash]、[验证Flash]一定要选中，否则程序无法下载到Flash中。同时，选择[扇区擦除]选项。至此，TKScope仿真器工作参数设置完毕，可以开始进行仿真。