有下一个降沿，状态机B采样总线状态信号。如果状态信号仍然有效，则此状态为等待状态Tw，状态机B保持在状态B1。如果这个状态是等待状态，并且RAS有效（DRAM访问），RAS保持有效；如果状态为等待状态，并且UCAS和LCAS有效（DRAM读或写），UCAS和LCAS保持有效。

　　在等待状态的上升沿，状态机A继续等待状态机B来中断此序列。如果MUX有效（DRAM读或写），则它在T3状态里保持有效。

　　如果微处理器状态信号无效，这个状态则是一个T4状态，状态机B从B1转到B2.如果状态是一个T4状态，并且RAS有效（DRAM访问），则RAST4状态，并且RAS有效（DRAM访问），则RAS逻辑也检测无效状态信号，并且XC95C36关闭RAS信号；如果状态是一个T4状态，并且UCAS和LCAS有效（DRAM读或写），则CAS逻辑也采样总线状态信号；如果状态信号无效，则XC95C36关闭UCAS和LCAS信号。

　　在T4的上升沿，状态机A采样状态机B的状态。在状态机B处于B2状态的情况下，状态机A从A2状态（DRAM访问）或A3状态（存储器读或写，但不是DRAM访问）转到A0。如果MUX有效，MUX逻辑检查RAS的状态；如果RAS无效（指示一个终止周期），XC95C36关闭MUX。

　　在下一个CLKOUT下降沿，状态机B无条件地从状态B2转到B0，终止DRAM序列。控制转移给状态机A。

　　三、80C186XL RCU单元的编程

　　要使DRAM正常工作，就必须对80C186XL中与DRAM刷新有关的寄存器进行正确编程。这些寄存器包括：刷新时钟间隔寄存器（RFTIME寄存器）、刷新基地址寄存器（RFBASE寄存器）和刷新控制寄存器（RFCON寄存器）。

　　刷新时钟间隔寄存器（RFTIME寄存器）的编程公式为：Trefresh×fcpu/（Rrow+Rrows×补偿因子）。V53C8258的技术参数规定，其刷新周期Trefresh为8ms，存储阵列行数Rrows为512。考虑到RCU取得总线控制权的延时，补偿因子取0.05。因此，微处理器在fcpu=20MHz工作频率下，RFTIME寄存器的取值为：0.008×20×10 6/（512+512×0.05），约为297.

　　刷新基地址寄存器（RFBASE寄存器）的编程。该寄存器的高7位，规定了DRAM容量大小。系统使用两片V53C8258情况下，RFBASE的取值为00H，DRAM占用微处理器的存储空间的00000H～7FFFFH（512KB）。

　　最后通过将刷新控制寄存器（RFCON寄存器）的REN位置位，来启动刷新控制单元。

　　若使用80C186XL的节电模式，则要求重新编程这些值。在写节电控制寄存器前，必须先用要时钟分频值去除原先设置在刷新间隔寄存器的值，来重新设置寄存器。

　　四、结束语

　　现在DRAM、CPLD的价格非常低，这样设计者有机会在嵌入式计算机系统设计中考虑采用DRAM。80C186XL嵌入式微处理器广泛应用于嵌入式计算机、程控通信和工业控制系统中，具有良好的性价比，其性能和功能是80C31、80C196等单片机无法比拟的，并能充分利用大量的PC平台软件。本解决方案已在家庭电子证券产品中采用，获得了良好的经济效益和社会效益。

　　掌握CPLD技术和VHDL语言设计技巧是提升产品技术含量的重要途径。上述CPLD还留在一些引脚和内部资源未使用，只要设计者将VHDL源代码稍微作一些修改，就可以用这些引脚控制新增加的DRAM，提供总线准备输出信号或DMA响应信号。

　　如果采用引脚数和宏单元较多的XC9672或XC95108CPLD，就可以将D触发器（74HC74）、多路地址切换器（74HC157）、数据收发器（74HC245）和地址总线锁存器（74HC373）等其它分立逻辑器件的功能全部集成到CPLD中，这样系统集成度和可靠性将更加提高。