解：计算这一线路的射频电流， 再以电流计算电容中的射频功率耗散。电流＝（功率/阻抗）

1/2 (这是这一线路内的电流)（1000/50）1/2 =4.47 安培电容中实际耗散功率：P＝I2 x ESR (这

是电容将耗散的功率)P＝4.47 x 4.47 x 0.018 = 0.34 瓦。

这个结果意味着在一个1000瓦射频功率，50欧姆阻抗的设备中，只有0.34瓦是由于ESR而被电容消耗掉的。因此，电容由于ESR只消耗了它额定最大功率的6.8％。由于电容ESR损耗极低， 电容温升可以忽略。

介质损耗（Rsd）

   介质成分，不纯度和微观结构例如晶粒大小，组成和气孔多少（密度）这些介质特性决定陶瓷电容的介质损耗正切。每种介质都有自己的损耗因数，或损耗正切。损耗正切数值等于耗散系数（DF），是电容介质在射频下损耗的量度。这个损耗造成介质发热。在极端情况下，热损坏能造成设备失效。耗散系数是介质损耗量级很好的指标， 通常是在低频，即1MHz下测定的。在这频率下介质损耗是电容损耗的主要成分。

金属损耗（Rsm）

    金属损耗取决于电容结构中所有金属各自的电阻特性，和趋肤效应引起的随频率变化的电极损耗。这包括电极，终端和阻挡层等任何其他金属。Rsm的作用也是使电容发热。在极端情况下，热损坏能造成设备失效。这些损耗包括欧姆损耗和趋肤效应损耗。多数多层陶瓷电容的“趋肤效应”损耗通常发生在30MHz以上的频率。下例给出一个ESR，由金属的Rsm构成，数值由频率决定。例：一个100pF 电容在30MHz时ESR是18毫欧姆。它在120MHz时ESR是多少？

解：计算频率比值的平方根：(120/30)1/2 ＝（4）1/2 ＝2120MHz时ESR是30MHz时的2

倍，即36毫欧姆。

下表给出ATC180R系列22pF 电容的介质损耗Rsd和金属损耗Rsm。两种损耗分别在不同

频率下测定， 相同频率下测得的两种损耗相加得到该频率下的ESR。注意低频下占主导地位的是介质损耗Rsd，高频下则是金属损耗Rsm。其他容值的电容情况相似，只是Rsd和Rsm分占比例不同。

     通常产品目录给出频率30MHz或更高时的ESR曲线， 这时损耗主要由金属造成，介质损耗事实上低到可以忽略，不对总体ESR造成任何影响。

ESR， Q， DF 和Xc 的关系

   下图是电容电压电流的相位关系，以及耗散系数，ESR和阻抗幅值。在理想电容里电流超前电压90o。下图中Ia 是流过电容的实际电流，Ia和理想电容电流形成一个Φ角，叫做损耗角。注意Ia和Vc的关系与Xc和ESR的关系成比例。下面表2给出图1中所有参数的关系。普遍规律是，在频率低于1MHz时，介质损耗（Rsd）占主导地位，设计时用DF。在较高的射频频率，即30MHz 到微波频率，ESR 和对应的Q值事实上总是主要由金属损耗（Rsm）决定。

测量ESR