实际上，可以将MOS管的漏极D和源极S当作一个受栅极电压控制的开关来使用：当VGS>VT时，漏极D与源极S之间相当于连接了一个小阻值的电阻，这相当于开关闭合；当VGS<VT时，漏极D与源极S之间为反向PN结所隔开，此时相当于开关断开。
    由于MOSFET是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，因此驱动功率小，而且驱动电路简单。同时，输入电路的功耗可大大减小，有助于控制并实现最大功率。场效应管是多数载流子导电，不存在少数载流子的存储效应，适宜于在环境条件变化比较剧烈的情况下。另外，它还具有较高的开启电压(即阈值电压)，因此具有较高的噪声容限和抗干扰能力。MOSFET通常由于具有较宽的安全工作区而不会产生热点和二次击穿。由于该器件有一个零温度系数的工作点，即当栅极电压在某一合适的数值时，ID不受温度变化的影响，因而具有很好的热稳定性。

2 D类MOSFET在射频功放中的应用
    现以美国哈里斯(HARRIS)公司研发的数字化调幅(DIGITAL AMPLITUDE MODULATION)发射机为例，来说明D类MOSFET在射频功放中的应用。
    数字调幅就是将控制载波电平和音频调制的模拟信号首先转换成数字信号，再经过编码变成控制射频功放模块开通和关断的控制信号，通过控制相应数目的射频功放模块的开通或者关断数量来实现调幅。DAM发射机取消了传统的高电平音频功放，而且所有的射频功率放大器均工作于D类开关状态，故其整机效率明显高于其它制式的发射机，典型效率可达到86％。图3所示为DX一200型DAM发射机的射频功率放大器模块的原理方框图。