温度的单位为K。
    在本系统，我们采用了厚度为120 μm的GaAs材料。如图3所示，通过其解析式得到原始曲线，再利用上述办法可将其透射率曲线近似为三段直线，表达式如下：

       一般采用能够覆盖吸收波长λT的变化范围且具有一定的光谱宽度，体积小、耗电少的的发光二极管做光源，其光谱近似于高斯分布：

  
    式中，λ0是光源峰值波长，△λ是光源谱宽，I0是最大光谱辐射强度。
    由式(3)可计算得出，当被测温度从0～200℃变化时，120 μm的GaAs材料的本征吸收波长从865nm变到925nm，因此本系统中选用峰值波长为880nm，谱宽为100 nm的GaAlAs发光二极管。
    光电探测器的选择要使其光谱响应度R(λ)与光源的峰值波长相对应，最好使其峰值响应度对应的波长与光源的峰值波长一致，以获得最大的输出。为此，选择硅 PIN光电二极管作为光电探测器，它的性能稳定，价格便宜，使用简单，尤其是在800～900nm波段光电转换效率最高，与所选光源LED的工作波段一致。
    光电二极管是基于光生伏特效应进行光电转换的，它的光谱响应曲线具有指数形式，用x2分布函数来表示，为此选择两个正态分布之和作为其数学表达式：
    式中，λ0、△λ、λ1、λ2、σ1、σ2均为常数，单位nm，温度t的单位是K。用常温20℃，即293KH寸的输出J为基值，对输出进行归一化，则