2.2 纠错检错（EDAC）

　　2.2.1 EDAC概述

　　EDAC可以用来检测电子设备中由SEU引起的存储为翻转错误。EDAC的基本结构包括3个部分：编码模块，解码模块，存储模块。其中EDAC 编码模块将需要处理的数据进行相关算法的编码，产生校验码，与待处理数据一同存入存储模块。数据需要读出的时候，EDAC解码模块将数据与相应校验码进行解码处理，得出正确结构。编码与解码所采用的编码方式可以根据需要选择，如汉明码，最佳奇权码，藤原英二码等等。

　　2.2.2 汉明码介绍

　　下面以扩展汉明码为例说明编码纠错检错的原理。 扩展汉明码（Extended Hamming Code）在存储系统的纠错检错中得到了广泛应用。他的最小码距是4，对于数据位数 k，校验位数 r，他们之间的关系需满足 2r-1 ≥ k+r。如果数据位 k增加一倍，校验位 r也只需要增加1位，所以它具有相当高的编码效率。 8位数据经过4位编码后的数据结构如下：

　　C= [D7D6D5D4D3D2D1D0C3C2C1C0]其中 D7～D0是数据位，C3～C0是校验位：

　　C3= D7 ⊕D6 ⊕ D5 ⊕ D4 ； C2= D7 ⊕D3 ⊕ D2 ⊕ D1； C1= D6 ⊕D5 ⊕ D3 ⊕ D2 ⊕ D0 ； C0= D6 ⊕D4 ⊕ D3 ⊕ D1⊕ D0

　　解码时需计算存储数据的伴随向量 S: S3= C3 ⊕CB3；S2= C2 ⊕CB2 ；S1= C1⊕CB1；S0= C0 ⊕CB0 其中 CB0，CB1,CB2,CB3为 8位数据在解码时刻的校验位。根据算得的伴随向量 S我们就可以判断数据位是否发生错误及错误发生的位置。

　　2.3 两种纠错方法的比较

　　TMR与 EDAC都属于硬件冗余，对于不同字长的存储器，他们所占用的面积开销和时间开销是不同的。TMR所占用的面积开销包括冗余的2个目标器件以及判决器及附属电路逻辑，EDAC所增加的面积开销则包括了增加的校验位，编码器，解码器及附属逻辑 1。根据以上分析我们可以得出结论，对于保护寄存器，寄存器组等容量较小的存储器件，TMR有实现简单，增加面积较少的有点。而对于大容量的存储器，则应当采用 EDAC来进行纠错检错。

　　3高可靠性 8051具体方案设计及实现通过对 SEU的机理分析及 mc8051结构分析可以得出，容易受到粒子辐射的关键部位有

　　3：特殊寄存器（Special Function Register ，SFR），内部 ram，外部 ram。本论文就上述三个模块对 mc8051IP核进行了该进。

　　3.1特殊寄存器（SFR）

　　mc8051IP核的特殊寄存器(SFR)均在 control_mem文件中实现。该模块实现 8051译码功能。SFR字节地址范围是80H-FFH，他们在 RAM中并不是完全连续的，21个 SFR离散的分布在上述字节区域的128个字节单元中。在mc8051IP核中并没用将这些SFR设计在内部 ram中，而是对应地址分别实现的。对 SFR的加固处理是采用了 TMR技术。具体实现步骤如下：

　　综合后结果截取如下图：