正确识别器件之后，就可以根据器件的命令集对器件进行各种操作。对闪速存储器的所有操作都是通过芯片的命令用户接口CUI实现的。通过CUI写入不同的控制命令，闪速存储器就从一个工作状态转移到另一个工作状态。其主要的工作状态是：读存储单元操作、擦除操作和编程操作。

2.2 读存储单元操作

　　在闪速存储器芯片上电以后，芯片就处于读存储单元状态，也可以通过写入复位命令进入读存储单元状态，读存储单元的操作与SRAM相同。

2.3 擦除操作

　　在对闪速存储器芯片编程操作前，必须保证存储单元为空。如果不空，必须对闪速存储器芯片进行擦除操作。由于闪速存储器采用模块分区的阵列结构，使得各个存储模块可以被独立地擦除。当给出的地址是在模块地址范围之内且向命令用户接口写入模块擦除命令时，相应的模块就被擦除。要保证擦除操作的正确完成，必须考虑以下几个参数：(1)该闪速存储器芯片的内部模块分区结构。(2)擦除电压Vpp。(3)整片擦除时间和每个模块分区的擦除时间参数。上面三个参数在器件识别中获得。

2.4 编程操作

　　闪速存储器芯片的编程操作是自动字节编程，既可以顺序写入，也可指定地址写入。编程操作时注意芯片的编程电压Vpp和编程时间参数，这两个参数也可以在器件识别中获得。

　　上面，我们给出了单片机与闪速存储器硬件接口电路和软件编程设计中应注意的关键技术问题。硬件上主要考虑芯片的工作电压和编程电压，软件上要考虑到器件的内部结构、使用命令集和时间参数等因素。随着闪速存储器器件朝着容量越来越大、工作电压越来越低、支持共同的接口标准的方向发展，将会使闪速存储器硬件接口和软件编程设计越来越容易，也会使闪速存储器的应用更加广泛。