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廉价的VMOS管制作大功率射频放大器
来源:本站整理  作者:佚名  2010-02-19 17:14:53



1、VMOS管是多子导电,没有双极晶体管的少于积累效应,因此是一种高速器件,可工作于数十兆赫以上,一般来讲,rDS(on)越小,其高频性能越佳.

2、VMOS管的漏极电流呈负温度特性,它无双极晶体管的“热跑脱”现象和“二次击穿”现象,安全工作区宽,可用直接并联的方法扩展功率.

 3、VMOS管是压控器件,与电子管特性相似,输入阻抗特别高,原则上只需电压激励,因此所需激励功率很小,易与前级匹配,且栅偏压供给电路简单.

 4、VMOS管输入、输出电容的大小基本不随工作频率而变化,功率增益也较稳定,易于制成宽带放大器。

5、VMOS管的线性好、增益高,失真小.用其制成的线性放大器的高次谐波分量少.

 6、VMOS管的漏源击穿VBR(DSS)可做得较高,当出现异常情况时,不易损坏。

 7、VMOS管是大电流器件,可用其制作廉价的大功率射频放大器.尤其适合经验不多的初学者尝试制作,唯一需要注意的是,焊接VMOS管时,电烙铁须接地,必要时,可用金属线先把G、s极短路,焊完后再擦开短路线。第一个实用电路如图1所示:

 1、电路的输入阻抗由刚决定,R1越大,所需的激励功率越小,但同时会造成工作不稳定,所以,刚以最大不超过300欧姆为宜,一般取为51欧姆。

 2、R2用于防止VHF寄生振荡的产生,但同时会造成一定的功率损耗,所以,R2的取值应尽量小,最大不超过15欧姆。

 3、栅偏压由W进行调节,VMOS管的始通电压通常在2—4V之间.当栅偏压由0V开始逐渐调高后,电路的工作状态由c类先后过渡到B类,AB类、A类,因此可根据所需选择相应的工作状态。

4,D1、D2为VMOS管提供保护,D2稳压值Vz的选取原则是:2VDD<Vz<VBR(DSS)。D1、D2的使用会对电路的性能造成—定的不良影响,因此有把握时.应尽量不用。

 5、VDD的选取原则是:24V≤VDD<VBR(DSS)/2.

    VMOS管的全开通电压约1OV左右,全开通时呈现出的内阻为很小的rDS(on),而没有全开通时,内阻较大,所以应尽量采用高电压供电.当VDD小于24V后,效率会变低,输出功率会以很快的速度下降. 6、T为用磁环绕制的宽带变压器,它将外接负载 ZL(50欧姆)变为VMOS管的漏极负载ZD,ZD的大小由所需的输出功率POUT决定:ZD≈VDD平方/2Pout。

关键词:

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