1、VMOS管是多子导电，没有双极晶体管的少于积累效应，因此是一种高速器件，可工作于数十兆赫以上，一般来讲，rDS(on)越小，其高频性能越佳．

2、VMOS管的漏极电流呈负温度特性，它无双极晶体管的“热跑脱”现象和“二次击穿”现象，安全工作区宽，可用直接并联的方法扩展功率．

 3、VMOS管是压控器件，与电子管特性相似，输入阻抗特别高，原则上只需电压激励，因此所需激励功率很小，易与前级匹配，且栅偏压供给电路简单．

 4、VMOS管输入、输出电容的大小基本不随工作频率而变化，功率增益也较稳定，易于制成宽带放大器。

5、VMOS管的线性好、增益高，失真小．用其制成的线性放大器的高次谐波分量少．

 6、VMOS管的漏源击穿VBR(DSS)可做得较高，当出现异常情况时，不易损坏。

 7、VMOS管是大电流器件，可用其制作廉价的大功率射频放大器．尤其适合经验不多的初学者尝试制作，唯一需要注意的是，焊接VMOS管时，电烙铁须接地，必要时，可用金属线先把G、s极短路，焊完后再擦开短路线。第一个实用电路如图1所示：

 1、电路的输入阻抗由刚决定，R1越大，所需的激励功率越小，但同时会造成工作不稳定，所以，刚以最大不超过300欧姆为宜，一般取为51欧姆。

 2、R2用于防止VHF寄生振荡的产生，但同时会造成一定的功率损耗，所以，R2的取值应尽量小，最大不超过15欧姆。

 3、栅偏压由W进行调节，VMOS管的始通电压通常在2—4V之间．当栅偏压由0V开始逐渐调高后，电路的工作状态由c类先后过渡到B类，AB类、A类，因此可根据所需选择相应的工作状态。

4，D1、D2为VMOS管提供保护，D2稳压值Vz的选取原则是：2VDD<Vz<VBR(DSS)。D1、D2的使用会对电路的性能造成—定的不良影响，因此有把握时．应尽量不用。

 5、VDD的选取原则是：24V≤VDD<VBR(DSS)／2．

    VMOS管的全开通电压约1OV左右，全开通时呈现出的内阻为很小的rDS(on)，而没有全开通时，内阻较大，所以应尽量采用高电压供电．当VDD小于24V后，效率会变低，输出功率会以很快的速度下降． 6、T为用磁环绕制的宽带变压器，它将外接负载 ZL(50欧姆)变为VMOS管的漏极负载ZD，ZD的大小由所需的输出功率POUT决定：ZD≈VDD平方／2Pout。