TMS320C32分配给双口RAM的地址空间为0x800000h～0x8007FFh。通过三八译码器74HC138对A20～A23和STRB进行译码，给出双口RAM的片选信号CER。89C52分配给双口RAM的地址空间为0x1000h～0x1FFFh。通过二四译码器74HC139对A13～A15进行译码产生双口RAM的片选信号CEL。双口RAM每边都有两个读/写控制信号，分别控制高位字节和低位字节的读/写，在使用时可以根据需要分别对数据的高位和低位进行写入操作。在图2所示接口电路中，两边的两个读/写控制信号分别被连接在一起，也就是说此时双口RAM的读写都是同时读写16位数据。

　　图2中双口RAM CY7C133的读写信号以及锁存器74HC373的使能信号的产生如图3所示。其中，WR是89C52的写控制信号，RD是89C52的读控制信号，A0是89C52的地址最低位，A15是地址最高位，R/W是TMS320C32的读写控制信号，BUSYL接89C52的P1口的一个引脚（具体可根据系统实际情形自行选择，图中未画出），BUSYR接TMS320C32的READY信号。

　　下面讨论一下89C52对双口RAM的读写过程。当89C52对双口RAM进行读数据时，由图3可知此时A0应为低电平，不妨假设地址为0x1000h，则存储在双口RAM中该地址处的16位数据同时被读出，由于高8位数据线与89C52的8位数据线直接相连，所以高8位数据被立即读入89C52中。同时，根据图3中各信号的相互逻辑关系不难判断，U3的使能信号LE有效（高电平），OE无效（低电平），因而低8位数据被送入U3 中锁存起来。接着89C52再进行一次读操作，这时地址变为0x1001h，由于A0变成高电平，双口RAM的读使能信号变成无效电平，所以此次读操作对双口RAM不产生影响。再来看U3的使能信号LE和OE的变化情况，显然LE变成了无效电平，而OE变成了有效电平，上次被锁存的数据（即双口RAM的低8位数据）被送入89C52。当89C52对双口RAM进行写入操作时，注意此时A0应为高电平，不妨假设地址为0x100Ch，同样可根据图3判断U2的使能信号LE和OE均为有效电平，因而数据被同时写入双口RAM中（即此时双口RAM的高8位数据和低8位相同）；接着89C52再进行一次写操作，此时地址变为0x100Dh，由于A0变成低电平，U2的片选为无效电平，U2被封锁，数据写入双口RAM的高8位。从上面的分析可知，利用最低地址位A0的不同电平，89C52通过两次连续的读或写操作，成功地实现了对双口RAM中数据的读或写，只不过是读入时是先读入高8位，后读入低8位；而写入则是先写入低8位，后写入高8位。

4 软件实现方案
　　双口RAM必须采用一定的机制来协调左右两边CPU对它的读写操作，否则会出现读写数据的错误。通常可以用中断、硬件、令牌和软件这四种方式来协调双方，本文采用的是软件方式。从上面的分析中我们可以得知，在接口电路中实际上已经利用89C52的最低地址位A0把双口RAM的存储空间分为奇、偶地址两个空间。其中，奇地址空间专供89C52写，偶地址空间专供89C52读。那么我们只需对TMS320C32的软件作相应处理即可，也就是说，TMS320C32对双口RAM的奇地址空间只读，对偶地址空间只写。这样就避免了TMS320C32和89C52对双口RAM同一地址单元的写入操作。另外，在对双口RAM进行访问之前，CPU首先对本端的BUSY信号进行查询，只有本端/BUSY信号无效时才进行读写操作，进一步保证了数据读写的可靠性。

5 结束语
　　通过双口RAM实现双CPU之间的数据通信，极大地提高了数据传输速度和可靠性，满足了控制系统的实时、高速的控制要求。本文所设计的89C52与双口RAM之间的接口电路简单实用，成功解决了它们总线匹配的问题，对其他类似需要总线扩展的系统也有一定的参考价值。