满阵可实现对应加权的最大副瓣电平。由于稀布的影响，稀布阵的和差波束的副瓣电平与满阵相比明显抬高，最大副瓣电平约为一25 dB。依据此设计，考虑了加工及馈电的相关误差后仍可满足设计副瓣电平的设计要求。两个面差波束的零深均超过一50 dB，也满足设计要求。满阵的和波束宽度约为1．49°，而稀布阵的波束宽度在1．47°左右，与满阵接近，符合设计要求。由于稀布阵单元的间距足够小，扫描范围指标符合要求。对稀布阵的方向图进行全空域积分，得到的方向性是41．1 dB，扣除辐射单元的损耗后可满足要求。而相控阵天线的成本主要由T／R的成本决定，该稀布阵方案使系统成本下降了20％。

3 结 语
    采用稀布的方法设计了一个低成本单脉冲相控阵天线。该方法基于稀布阵面上加圆口径Taylor权和圆口径Bayliss权实现和差波束。通过比较该方法的结果与满阵加相同权的仿真结果发现二者仅在增益和副瓣电平上有较大的差别。如果设计要求强调分辨率，着重波束宽度指标，而对增益和副瓣电平指标不做过高要求(如本例)，那么该方法具有合理性。实际上，提供了一个低成本单脉冲相控阵天线的解决方案。