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JDM PIC 编程器制作
来源:本站整理  作者:佚名  2010-02-01 10:52:26




rd09 朋友的贴子中有它的PCB图,照此我制作了一个,但是仅烧写了一次就坏掉!LED也不亮了,查是D6—6.2V的稳压管烧掉。究其原因,原来我使用的是 1/2W的稳压管,而台式机的RS232接口的输出电流可达20mA,两个稳压管应该选用1W的才行。而且6.2V的稳压管不是标准的型号,所以干脆采用精密的稳压基准TL431+合适的分压电阻代替,再次烧写,结果还是不行!LED也很亮,就是校验失败!在烧写时测量13V电压居然只有3.5V?结果查下来是第一次烧写过的那片16F873牺牲了……换一个16F72上,烧写、校验一次OK!感谢RD09!感谢JDM!为了让大家提高制作的成功率,下面我再将我制作中零件的选型和改进要点给大家共享:

两个稳压管,上面提到了需要1W的,推荐使用TL431,它的电流可达100mA,更详细的参数和使用方法见它的数据手册。


两个三极管,耐压要达到50V以上,电流100mA以上,截止频率大于30MHZ,我使用2SC945代替,只是脚位不一样,安装时需要扭过,或者朋友们也可自己重新画PCB图。


场效应管的选择:上面提过要实现VPP BEFORE VDD功能有问题,我在线路板上用了一个IRF9014,FENG3在BBS中推荐使用2SJ377,我装好以后发现无论烧写与否VDD+5不能被完全关断,实际上P沟道的场效应管需要负电压才能导通,我测量TxD端,在不烧写时电压为0V,没有所期望的-15V电压出现,所以那个MOSFET不能被完全关断。好在我烧写的是28PIN的16F7X,此电压只要在烧写时有+3.5——+5V就行了。如果不烧写有内部振荡的MCU,这个管子不接也罢,况且P 沟道的MOSFET又少又贵。在实际使用中我做了如图3的改动:使用NPN的管子,电流大于500mA,耐压大于15V,、我选用8050,这样就没有问题了。如果怕TxD有负电压输出而击穿Q3的BE脚,可以在B极串一个二极管。改进后的电路如下图。

电阻均可采用1/8W或1/4W ±5%的碳膜电阻。


串口插座为9针母插。


其它材料恕不多述。


烧写时芯片的放置见下图:

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