晶体管所能承受的电压、功率耗散以及所通过的电流都是有一定限度的，当其超过额定值时，轻则影响晶体管的工作性能，严重时将使其损坏。以下介绍晶体管的主要极限参数。
    1.集电极最大允许耗散功率PCM
    Pcm是指晶体管因温度升高引起参数的变化不超过规定值时，集电极所消耗的最大功率。 晶体管在正常工作时，集电结加的是反向偏置电压，集电结的反向电阻很高，这样，集电极电流流过集电结时就要产生大量的热量，结温就会升高，若温度过高，将导致晶体管不可逆转的损坏。人们根据晶体管最高允许结温定出最大允许耗散功率。为了降低结温，对于大功率晶体管，人们往往要另设散热片，散热片表面积越大，散热效果越好，晶体管的Pcm就可以适当提高。
    2.集电极最大允许电流ICm
    集电极电流增大，会导致晶体管的电流放大倍数β下降，当β降至低频电流放大倍数βo的额定倍数（通常规定为二分之一或三分之一）时，此时的集电极电流称为集电极最大允许电流Icm。因此，当晶体管的集电极电流达到Icm时，晶体管虽不致损坏，但电流放大倍数已大幅度下降。
    3.集电极--发射极击穿电压BVCEO
    BVCEO是指晶体管基极开路时，加在晶体管集电极与发射极之间的最大允许电压。对于NPN型晶体管而言，集电极接电源的正极，发射极接电源的负极；对于PNP型晶体管而言，集电极接电源的负极，发射极接电源的正极。
当加在晶体管集电极与发射极之间的电压大于BVCEO的值时，流过晶体管的电流会突然增大，导致晶体管永久性损坏，这种现象称为击穿。