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二极管参数中英文对照表
来源:本站整理  作者:佚名  2010-01-25 18:05:44



文字符 中文 English
IF(AV) 正向平均电流(整流管) mean foreard current (of diode)
IT(AV) 通态平均电流 mean on-state current
VRSM 反向不重复峰值电压 non-reetitive peak reverse voltage
VRRM 反向重复峰值电压 repetitive peak reverse voltage
VDSM 断态不重复峰值电压 non-repetitive peak off-state voltage
VDRM 断态重复峰值电压 repetitive peak off-state voltage
VFM 正向峰值电压(整流管) peak forward voltage (of diode)
VTM 通态峰值电压 peak on-state voltage
Tjm 最高等效结温 maximum virtual junction temperature
F 紧固力 mounting force
IRRM 反向重复峰值电流 repetitive peak reverse current
IDRM 断态重复峰值电流 repetitive peak of-state current
VGT 门极触发电压 gate trigger voltage
IGT 门极触发电流 gate trigger current
Rjc 结壳热阻 junction-case thermal resistance
Qrr 反向恢复电荷 reverse recovery charge
ITM 通态峰值电流 peak on-state current
IFM 正向峰值电流(整流管) peak forward current (of diode)
ITSM 通态浪涌电流 surge on-state current
dv/dt 断态电压临界上升率 critical rate of rise of off-state voltage
di/dt 通态电流临界上升率 critical rate of rise of on-state current
tgt 门极控制开通时间 gate controlled turn-on time
tq 电路换向关断时间 cricuit commutated turn-off time
IRMS 通态方均根电流 R.M.S. on-state current
(dv/dt)c 换向电压临界上升率(双向晶闸管) critical rate of rise of commutating voltage(of bi-directional thyristor)
trr 反向恢复时间(二极管的) reverse recovery time (of diode)
ton 开通时间 turn on time
ts 存储时间 storage time
tf 下降时间 fall time

关键词:

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