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NandFLASH和NorFLASH接口设计和驱动开发
来源:本站整理  作者:佚名  2009-08-25 12:56:13




2.3 NorFLASH的接口设计
    系统用的NorFLASH芯片是Atmel公司开发的AT49BV1614A,存储空间为16 MB,在系统中常用于存放代码,系统上电或复位后获得指令开始执行,因此,应将其配置到Bank0,将AT49BV1614A的片选端nCE接至 S3C2410的nGCS0;AT49BVl614A的输出使能端nOE接S3C2410的nOE;写使能端nWE接S3C2410的nWBE0;将模式选择nBYTE上拉,使AT49BV1614A工作在 16 位数据模式。AT49BV1614A地址总线A[19~0]和S3C2410的地址总线ADDR[20 ~1相连,16位数据总线DQ[15~0]和S3C2410的低16位数据总线DATA[15~0]相连。

2. 4 NorFLASH在系统中的具体操作

    以AT49BV1614A芯片时序图为例,具体说明NorFLASH的写操作,如图2所示。

    CLE信号有效时系统通过I/O口向命令寄存器发送命令00H,此时WE为低电平,写操作有效,NandFLASH处于写状态。发送命令后,接着发送要读的地址,该操作将占用WE的1,2,3,4四个周期,发送地址信息时,CLE为低电平,ALE为高电平。地址信息发送完毕后,不能立刻读取数据,因为此时芯片正处于BUSY(忙)状态,需要等待2~20 ms,之后,才能开始数据读取。此时WE为高电平,处于无效状态,CE片选信号也始终为低以表明选中该芯片。

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