NOR Flash和NAND Flash均属于非易失存储芯片，分别简称为NOR闪存和NAND闪存，现已大量用于数码产品、电脑及平板彩电中。
    1988年，Intel公司推出了NOR Flash存储器，如图1所示，这彻底改变了之前由EPROM（具有可擦除功能的只读存储器）和EEPROM（电可擦写、可编程只读存储器）一统天下的局面。

    NOR闪存的的优点是芯片内执行（XIP、ex-ecute In Place），不必把代码读到系统RAM中，即应用程序可以直接在Flash内运行，数据读取速度较快，并且在1 M13-4MB的小容量时具有很高的成本优势；缺点是数据擦除与写入速度较慢。
    1989年，东芝公司推出了NAND Flash存储器，其内部采用非线性宏单元模式，是目前大容量数据存储的理想存储芯片。NAND闪存具有容量大、擦写速度快等优点，现已广泛用于存储卡、U盘、固态硬盘及智能电子产品中，如图2所示。

    虽然不同型号的NAND Flash存储器的引脚定义相近，且与CPU的通讯方式基本相同，但NAND Flash存储器的兼容性较差。因此，在实际维修中，若NAND Flash存储器损坏，建议换用同品牌、同型号的正规产品（网上销售的部分产品为残次品，稳定性差、故障率高，甚至无法使用），并且焊接时需保持芯片引脚干净，否则易导致数据读写错误。