在智能手机或部分液晶彩电（尤其是网络液晶电视或3D液晶电视）中，常安装有NORflash和NANDflash存储器，这两种存储器有什么区别呢？
    NORflash和NANDflash存储器是FLASH下的两大类，分别简称为NOR和NAND o FLASH全名叫FlashEEPROMMemory，即常说的“闪存”，现已大量用于数码产品、电脑及液晶彩电中。

    一、主要特点
  Intel公司于1988年首先推出NORflash存储器，如图1所示，这彻底改变了之前由EPROM（具有可擦除功能的只读存储器）和EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）一统天下的局面。

    NOR闪存的特点是芯片内执行（XIP、eXecuteInPlace ），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1MB-4MB的小容量时具有很高的成本效益，并且读取数据的速度较快，但NOR闪存写人和擦除数据速度较慢，这大大影响了它的性能。
    1989年，东芝公司推出了NANDflash存储器，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如用于存储卡、U盘、固态硬盘中，其外形如图2所示。

    NAND闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成存储块，NAND的存储块大小为8kB～32kB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，容量超过512MB的NAND闪存已相当普遍，并且NAND闪存的成本较低，有利于大规模普及。
    由于NAND闪存采用较复杂的I/O口来串行地存取数据，只有8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。这区区8个1/O端口只能轮流传送信号完成数据的传送，速度要比NOR闪存的并行传输模式慢很多。另外，NAND闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较NOR闪存要差。
    提示：NOR闪存的读数据速度比NAND闪存稍快，但NAND写数据速度比NOR闪存速度快，并且NAND闪存的擦除单元小，相应的擦除电路更简单。
    在容量与成本方面，由于NAND闪存的存储单元尺寸约是NOR闪存的一半，则NAND闪存可以在给定的模具尺寸内提供更大的容量，且成本也不高。目前，NOR闪存的容量多为1 MB～16MB，而NAND闪存的容量多为8MB～128MB。因此，在液晶彩电中，NOR闪存主要用于存储开机引导程序数据，NAND主要用于数据量大的网络、3D等功能程序数据，或作为帧存储器。
    在使用寿命（耐用性）方面，NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR闪存的擦写次数是十万次。

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