在实际应用中，FastChip自动将E5 CSL数据存放在FLASH的SA12，如果这部分数据需要占用的空间超过64KByte，则向后继续占用SA13，并依此类推；其余SA0~SA11作为程序代码存放区。实际上程序代码所需要的存储空间并不是总需要那么大，多数情况下甚至少于64KByte。因此我们可以将FLASH中的部分区域划做数据存储，用于保存需要在掉电或硬件复位后可再恢复的数据。

3． FLASH 做DATA MEMORY的说明
使用FLASH中的部分区域作数据存储，必然涉及到数据的改写。对FLASH而言，在进行数据改写时，必须先将该数据所在的SECTOR完全擦除（ERASE），然后再执行写（WRITE）操作。受FLASH操作的限制，在对FLASH进行EREASE、WRITE操作时，相应部分功能程序代码不可能从FLASH内取得，所以必须预先将它们转移到适当的位置(SRAM)，以保证读、写FLASH的程序正常运转，完成这一部分操作完成后，可以恢复从FLASH内取得程序代码继续执行其他功能。
在这些应用中,内部SRAM由CODE与XDATA地址空间共享。E5内部有一定容量（64K）的SRAM，故可以从SRAM取得程序代码完成规定的操作。但是这个RAM的容量有限（具体：E502-8KByte，E505-16KByte，E512-32KByte，E520-40KByte），而且SRAM本身还必须预留足够的空间作为中间数据的存放，所以转移到RAM的程序代码应该尽可能精简。
要E5完成对FLASH中部分区间的数据改写，最少必须具有以下两个功能：将程序代码区的内容转移到内部RAM区；完成对FLASH的ERASE、WRITE。
3.1 程序代码转移
按照设计要求，被转移的程序代码所完成的功能是操作FLASH。为保证该部分代码转移至E5内部RAM后能正确运行，代码的绝对起始地址应该为0。
这部分代码应该利用FastChip的CODE BANK存放在单独的BANK内。如一般功能应用程序占用BANK0~N，则这部分代码存放在BANKN+1。
进行程序代码转移时，需要确定的参数包括：被转移程序代码的首地址、被转移程序代码的长度、被转入区间的首地址。在进行该项工作之前，确认改变地址映射器的设置不会导致程序运行的混乱。
3.2 Internal RAM区块说明
改写FLASH的功能代码必须在Internal RAM运行，而且起始地址必须是0000，因此，在设计时，Internal RAM的低段区域不要用来保存数据，我们设定该区域长度为4KByte，地址范围0001_0000~0001_0FFF。即其它数据的存取在0001_1000H之上。
3.3 地址映射
为将FLASH区域内的功能代码转移到Internal RAM指定的位置，我们设置地址映射器来分别指向：
设置地址映射器DMAP2，使保存有改写FLASH的功能代码的FLASH之SECTOR的地址映射至XDATA区的0000~0FFF。映射器DMAP2各寄存器设置如下：
DMAP2_TAR_00x00  ；源映射区的起始地址
DMAP2_TAR_10x（80+BANK_No） ；源映射区的起始地址
DMAP2_TAR_20x00  ；源映射区的起始地址
DMAP2_ SRC0x00  ；目的映射区的起始地址
DMAP2_ CTL0x2C  ；代码长度
设置地址映射器DMAP4，将Internal RAM低4KByte的地址映射至XDATA区的1000~1FFF。映射器DMAP4各寄存器设置如下：
DMAP4_TAR_00x00  ；源映射区的起始地址
DMAP4_TAR_10x01  ；源映射区的起始地址
DMAP4_TAR_20x00  ；源映射区的起始地址
DMAP4_ SRC0x10  ；目的映射区的起始地址
DMAP4_ CTL0x2C  ；代码长度
完成上述存储器映射后，就可以将FLASM MEMORY的程序按BYTE TO BYTE的方式COPY到INTERNAL SRAM内执行。当然，这些都是在XDATA中处理的。

4．对FLASH的操作
在这个设计中，感兴趣的是FLASH作数据存储区使用，而不是作为程序存储区使用时的操作，所以，下面的描述是针对FLASH作数据存储区使用时的关注事项。
在进行操作前，要事先进行地址映射器的配置，使DPTR能正确指向。
读（READ）--类似于标准的RAM。可在任意时候进行。
写（WRITE）--FLASH片内任一位都只能从1写为0，要从0写为1，必须使用擦除操作。
擦除（ERASE）--擦除操作不能针对特定的字节，最少必须以扇区为单位进行，也可以选择将整个器件内的字节全部擦除。
对FLASH的读、擦除操作，必须按照其Datasheet给定的步骤进行。如：
擦除： xxAAA/AA-xx555/55-xxAAA/80-xxAAA/AA-xx555/55-xxAAA/10（整片擦除）； xxAAA/AA-xx555/55-xxAAA/80-xxAAA/AA-xx555/55-ADDR/30（按扇区擦除）
很显然，在我们的应用中，不能使用整片擦除操作，只能按需要将要改写的扇区进行擦除以保存我们的数据。
写：xxAAA/AA-xx555/55-xxAAA/A0-PA/PD
写FLASH时，每个命令序列只能写一个字节。其中PA是所要改写的字节的地址，PD是将要写入的内容。

5．总结
 在很多场合，如何将数据保护而不受掉电的影响是很重要的。本文作者创新点：说明了在E5微处理器中如何将FALSH MEMORY用与存取、保护数据，提供了FLASH与SRAM在XDATA空间中映射的方法，希望对使用E5 CPU的研发人员能有所帮助。