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反激式功率因数校正电路的干扰分析及电磁兼容设计
来源:本站整理  作者:佚名  2012-04-21 21:40:01



(b)夹心绕法

图4    MOSFET的D、S之间的波形
为了减少变压器的辐射干扰,制作变压器的屏蔽层时,常采用的方法是在变压器的线包和磁芯外表面包上一层薄薄的铜皮。为了能减小原副边的分布电容,还可以在变压器的初、次级绕组之间加一层静电屏蔽。具体的作法是在绕制完初级绕组后,包上一层0.02~0.03mm厚的薄铜皮,铜皮的始端和末端必须有3~5mm长的重叠(重叠部分必须相互绝缘)。为了保证静电屏蔽达到预期的目标,关键是从工艺设计上减小漏电容Cs和接地阻抗Z的大小,如下图5所示。

图5    变压器原副边的经典屏蔽

3    其他减少电磁干扰的方法

3.1    元器件的布局

    在设计电路时,通常骚扰源和受扰电路由于受到工作条件的限制而难以避免。这时,应尽量将相互关联的元器件摆放在一起,以避免因器件离的太远而造成印制线过长所带来的干扰;再者将输入信号和输出信号尽量放置在引线端口附近,以避免因耦合路径而产生的干扰。

3.2    散热片的安装

    考虑到可能恶化电路运行状态的功率器件发热问题,可以给功率器件安装散热片,既能散热,又可以减小电磁噪声。为了使功率开关管和散热器能有良好的热传导,常在功率开关管与散热器之间抹上导热性能良好的绝缘硅胶(为了保证有良好的绝缘,常常还在中间垫绝缘垫片,防止散热片带电)。这些硅胶和绝缘垫片相当于在功率管和散热片之间串联了耦合电容Ck。因此,功率开关管在快速开断时产生的电磁噪声就会通过Ck耦合到散热片上面。从防止各个开关管之间的噪声相互串扰的角度来考虑,最好是每个功率管用一个独立的散热片,而不是几个功率开关管公用一个散热片。

4    结语

    随着电子产品的电磁兼容性日益受到重视,抑制开关电源的EMI,提高电子产品的质量,使之符合有关标准,已经成为人们越来越关注的问题。本文对反激式功率因数校正电路的骚扰源进行了分析,同时给出了相应的解决方案,另外,还对此电路的电磁兼容的设计进行了详细的分析。

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