利用晶体三极管在负阻区所具有的负阻特性，可以构成弛张振荡器，如右图所示。接通开关SA后，直流电源GB通过电阻R1向电容器C充电，C上电压Uc逐步上升。
当Uc上升到晶体三极管VT的击穿电压BVceo时，VT击穿导通并进入 负阻状态，这时VT的管压降变得很小，C通过VT和R2迅速放电。C放电结束后，VT恢复截止状态，直流电源GB又通过R1向C进行新一轮充电。如此周而复始形成振荡，振荡频率取决于R1和C的大小，R1和C的乘积越小，振荡频率越高。放电电流在R2上的压降形成窄脉冲uR2，电容器C上的电压Uc则为锯齿波，波形如左图所示。该电路中，由于VT击穿导通的时间极短，因此不会因过热而导致晶体三极管损坏。直流电源GB的电压值必须较多地大于晶体三极管VT的击穿电压，弛张振荡器才能正常工作。一般小功率硅晶体三极管的击穿电压为几十伏。

 
    如果将晶体三极管’VT的集电极与发射极对调后接入电路，仍可以构成弛张振荡器，如图4所 示。这时晶体三极管VT的击穿电压大幅度降低，一般为几伏。在阻容元件数值相同的情况下，下图电路的振荡频率比图2电路的要高。