为提高电路设计成功率，采用电磁场分析对设计进行分析和修正。电路中除开关器件外其他元件采用电磁场结果进行设计，以此来保障电路设计的性能。

2 电路的工艺实现与制作
    采用InGaP作为腐蚀阻断层，提高栅挖槽的均匀性。宽带单片低插入损耗SPST开关电路采用高性能的GaAs MBE材料，开关器件栅长为0．25 μm。器件栅上淀积氮化硅膜进行钝化以保护栅，同时单片电路的可靠性得到增强。
    GaAs MMIC工艺主要步骤为：材料检测→台面光刻→离子注入隔离→源漏欧姆接触制作→栅光刻→栅挖槽→栅金属化→钝化→一次金属制作→钝化→二次金属互连→背面减薄→背面通孔→背面金属化→分片。
    本单片电路中的无源元件主要是微带传输线，微带传输线的形貌对开关的性能会产生影响，在工艺加工过程中要严格控制电镀工艺。同时，版图设计过程中，避免工艺加工过程暴露GaAs材料，导致电化学效应。

3 实验结果与讨论
    宽带单片SPST开关芯片的芯片面积为1．1 mm2。图6是两种不同通孔连接方式的芯片照片。

    本电路测试采用微波在片测试，插入损耗、隔离度和开态驻波比测试结果见图7。图7(a)、(c)、(e)为双接地孔测试结果，图7(b)、(d)、(f)为单接地孔测试结果。

    从图7可知，通孔电感对SPST开关的高频性能有较大的影响，尤其是插入损耗和驻波特性等指标。合理的增加通孔数量对提高电路性能有明显的作用。通常，通孔对地的寄生电感量为二十几皮亨，当两个通孔对地并联时，电感值减小近50％。

4 结语
    本项目中采用专用TRL校准图形进行仪器校准，实现传输特性的相位归零，从而获得更高精度的器件模型精度。同时，分析了两种情况的通孔形式对高频微波性能的影响，实验取得满意的结果。