在状态机和收发移位寄存器的映射过程中,在发送情况下,把状态机中送出的数据或者E2PROM中读出的数据放置到移位寄存器中,数据保持功能由移位寄存器实现,从而节省芯片面积;当处于接收状态时,由于移位寄存器己将接收到的命令和数据做分离处理,映射模块只需根据状态机要求从中取出相关内容。
对于状态机和存储区的映射,无论是UID号,认证码,密钥以及实际的物品信息,对映射模块来说,都是根据状态机所指地址到存储区中读出或写入内容信息。
4 数据存储体设计
电子标签芯片要存储数据,采用的办法有:电可擦可编程只读存储器(E2PROM)、铁电随机存取存储器(FRAM)以及静态随机存取存储器(SRAM)。E2PROM的写入电压高,高电压产生难以控制,操作速度慢,读写次数少等缺点在相当程度上制约了RFID芯片的发展。铁电存储器具有工作电压低,操作速度快,读写次数多,功耗低等优点,是一种非常理想的可以替代E2PROM的非挥发性存储器,但由于是利用热释电晶体中自发极化可以在外加电场的作用下发生反向的原理,使得FRAM在生产工艺中遇到了更大的问题,这阻碍了它赢得市场。SRAM主要用于微波系统,需要用辅助电池不断供电,才能永久性保存数据,不适用于无源电子标签芯片存储数据。E2PROM目前生产工艺和设计技术相对成熟,在存储速度、成本等方面都能满足电子标签芯片设计要求,E2PROM要达到应用的要求,需要采用全定制设计,其中较多的是模拟电路,如何设计成功是电子标签芯片实现的关键。E2PROM存储器主要由存储阵列、地址(字线)译码模块、高压控制电路、读写控制模块、数据移位寄存器和电荷泵等组成。总体结构如图7所示。电荷泵产生E2PROM写操作时的高压,高压控制模块对E2PROM写时的高压进行控制,读写控制模块控制位线读或写时的电压,移位寄存器用于对E2PR()M进行读写操作时数据的串行移位输出或输入。
在此所设计的E2PROM存储体包括64块用户数据块(BLoCK0一BLOCK63),4块特殊数据块,用于存储AFI,DSFID,UID,IC信息等。用户数据块分左右两体,由页地址信号PAGE来控制选择,具体读写哪个块或多个块由地址信号ADDR<O:4>控制。E2PROM的最小操作单位是块,对E2PROM读或写都是以块为单位进行的。
5 版图设计
版图设计主要包括模块设计、芯片规划、布局、布线等,是一个组合规划和巧拼图形的工作,是从逻辑信息向几何信息的转换。设计中采用SMIC0.35μmE2PROM CMOS工艺,E2PROM采用4个存储单元。版图规划时要考虑好单元间的走线,降低布线难度,另外注意有特殊要求的单元模块的处理,如把噪声敏感的模块隔离起来,版图设计如图8所示,左边是射频接口电路,左上和左下是储能电容,右中上部分是数字控制电路,右中下部分是E2PROM电路。
6 结 语
目前,RFID电子标签技术是一项最近几年才发展起来和正在发展的新技术。具有海量的市场规模,对提升社会信息化水平、促进经济可持续发展、提高人民生活质量、增强公共安全与国防安全等方面有着深远影响。RFID技术国外发展较快,主要核心技术由欧美、日本等发达国家掌握。中国在高频、超高频RFID技术和应用上还只是处于发展初期,没有掌握芯片设计、天线设计、封装技术及装备等关键核心技术。
这里介绍了RFID系统组成,提出了基于ISO/IEC15693协议无源电子标签系统结构,基于低功耗、低成本实现原理。给出了芯片射频接口电路、数字控制电路和E2PROM各个模块的研究与设计实现,并给出了版图设计的布局图。已成功应用到基于ISO/IEC 15693协议无源电子标签芯片设计中,在SMIC 0.35 μm E2PROMCMOS工艺条件下流片成功,芯片面积1.86mm2,各项测试和设计指标满足电子标签的性能要求。