1．3 输出级的设计
    输出级采用了PMos电流镜做负载，和M7,M8并连的两个MIM电容的作用是滤去高次谐波。M7和Ⅵs管子的面积必须尽量大，这样才能有效地减少闪烁噪声。设计中M，和M8管取值W/L一320μm/1μm。由于输出级的直流偏置电平不能确定，所以必须增加共模反馈。这个任务是由M…M12，M13,M14构成的简单运放来完成的。Vref的值为2．1 V，由电阻取出的共模电平和Vref相比较，输出的电平由M14的漏端反馈回M7和M8的栅级达到控制输出电平的目的。

2 仿真结果
    图3是电路增益的仿真结果，在880 MHz时达到了18 dB左右。

    图4是噪声系数的仿真，闪烁噪声拐点在20 kHz附近，在100 kHz时噪声达到了17．5 dB。

    图5是三阶交调点的测试，在本振信号为一5 dB，输入的射频信号为一30 dB时，三阶交调点的值为9．6 dB。

3 版图设计
    图6为设计的版图。要注意的是高频差分信号的走线应尽量对称。

4 结 语
    本文设计了一个工作在GSM频段的超低中频混频器，采用TSMC 0．18μm CMOS工艺，输出中频为100 kHz，增益为18 dB，噪声系数为17．5 dB，三阶交调
点为9．6 dB，可以应用于GSM接收机中。