主动“ORing”方案包括一个功率MOSFET和一个集成电路控制器。MOSFET的导通电阻RDS(on)会在其内部产生功率损耗（通过器件的电流的平方与电阻的乘积）。

如果在肖特基二极管“ORing”方案中实现相等电流，该方案中的损耗将降低为原来的十分之一。这就说明，一个主动“ORing”方案可以比标准“ORing”二极管方案更小，由于它非常低的功率消耗，就充分降低了对散热系统的依赖。

然而，主动“ORing”方案确实是一个折中的方案。当MOSFET打开的时候，电流的方向不受限制。正是由于这个特点，主动“ORing”方案可以非常准确和非常快速地检测出由于反向电流而产生的故障。一旦检测到故障，控制器就需要尽可能快地关闭MOSFET，并依次从冗余总线上隔离输入故障，阻止反向电流的进一步增加。

合适的方案
当着手选择合适的“ORing”方案时，关键的问题是理解特殊应用的基本边界条件，然后选择哪种类型的“ORing”方案就非常清楚了。但这并非毫无遗漏，还存在一些典型的边界条件，这些边界条件如下所示：

● 系统所处的环境温度上升到最高温度，功率方案必须保持可靠工作。

● 系统位于特定不可动建筑物中时。

● 可获得的散热手段（风扇、散热片、PCB 面积等）。

● 最坏故障条件（“ORing”方案的响应时间和速度非常关键）。

在特殊应用环境中分析典型二极管“ORing”方案与典型主动“ORing”方案的异同是非常有价值的。下面的分析示例是在环境温度为70℃，负载电流为20A情况下的分析过程。

典型二极管功率消耗（PD(diode)）：VF×IF=～0.45V×20A=9W。

主动“ORing”方案的功率消耗（PDFET）：ID2×RDS(on)=(20A)2×1.5mΩ=0.6W。

此处1.5mΩ是Picor公司PI2121 Cool-ORing器件的典型RDS(on)。

如果器件工作的最大结点温度保持在125℃，则需要的散热条件为
TJ=Tamb+（PD×Rthj-a）
式中：

TJ=器件结点温度。
Tamb=系统环境温度。
PD=器件功率消耗。
Rthj-a=热阻（结点-环境）。
Rthj-a需要维持二极管的125℃结点温度大约是6℃/W。
Rthj-a需要维持MOSFET的125℃结点温度大约是92℃/W。

Rthj-a数值越高，散热的费用与总体拥有成本之间的依赖关系就越低，这就使“ORing”方案非常吸引人。主动“ORing”方案的好处表明，这是提供最小解决方案的最好办法，如果不可动建筑的价值非常高。高密度单封装系统（SiP：System-in-a-Package）产品是解决高密度问题的最好途径，它所提供的IC-FET优化可以增加电子性能的改进。使用工业标准封装的分立解决方案具有先天的局限性，如器件尺寸、器件之间的PCB空间，以及隐藏在整体密度和电子性能后面的寄生偏移。

必须精确确定MOSFET两端的电压和极性，这代表流过整个器件的电流。在故障事件被触发之前，反向门限将决定通过MOSFET的反向电流总和，而且控制器的栅极驱动特征将决定MOSFET的关断时间，并因此产生了通过MOSFET的反向峰值电流。门限越低、栅极驱动越高，则将确保更早地检测并降低总体反向峰值电流，并且最终降低任何冗余总线电压降落的可能。

主动“ORing”方案
Picor公司有一个主动“ORing”方案（Cool-ORing系列），包括一个高速“ORing” MOSFET控制器和一个具有低导通电阻的MOSFET，采用高密度强化散热的LGA(Land-Grid-Array）封装。这个方案可以达到低至1.5mΩ的典型导通电阻，可以在整个比较宽的温度范围内工作，并能够提供高达24A的持续负载电流。

LGA封装是非常小的5mm×7mm封装形式，它提供了强化散热，并能够用于低压、高边（如图1所示）主动“ORing”应用中。Cool-ORing方案与常规主动“ORing”方案相比提供了超过50％的空间节省。

图1 PI2121典型应用：高边主动“ORing”技术