根据这些数据去推断，似乎进一步发展是把接面和金属片之间的热阻降低。对于功率价值大于5W的LED 4K/W热阻值可于不久的将来达到。

　　对于晶粒直焊基板封装，基板本身已经是热管理的樽颈地带，这趋势会迫使基板作进一步改良。

　　发光二极管封装的热能特性

　图7 热阻模拟

　　图7显示功率发光二极管封装的散热途径。我们且不谈散热器而集中于RJ-B=RJ-S+RS-B的情况。

　　对于封装型发光二极管的研究，我们使用了Lumileds Luxeon V (数据取自公开数据单)以作模拟，同时视察了优化散热的布局模式之热分布结果。

　　图8 几何模型

　　材料是用一块铝覆铜基板1 mm Al / 75 μm绝缘介质/70 μm Cu (介质: 2,2 W / mK)。边界条件是把散热器固定于摄氐20度。至于晶粒直焊基板模拟，我们使用一个 2x2mm的 GaAs正方型体，使用的软件是 IcePack。

　　封装型发光二极管的模拟结果

　　基板物料 RB 的热阻显示了和绝缘物厚度的相依性(图9)。在封装型发光二极管中，测量到最低值的静态基板热阻是0.3 K/W。

　　图9 模拟热阻(包括扩散)

　　封装内的温度分布显示了大多数的热能都分布在封装内的金属片上。

　　图10 结到基板的总热阻

　　因此参考整体热阻RJ-B显示出基板热阻的降低并未对发光二极管的芯片有很大的作用。 虽然温度有肯定性的减低， Rth跌幅并不很明显。这是因为封装本身的热阻太高而即使基板的热阻降低却未能影响到整体结果。

　　图11 结到基板的总模拟热阻

　　当其封装的热阻要求再下降，封装型发光二极管的情况需重新评估。