引言：
    随着电子技术的高速发展，功耗与节能为电子技术提出了新的要求。在电力电子技术方面，交流电机的变频调速更成了电机控制的主流，变频调速是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。主要采用交流一直流一交流方式，即把工频交流电源通过整流器转换成直流电源，然后再把直流电源转换成频率、电压均可控制的交流电源。变频调速技术凭借其节能降耗、改善工艺和提高控制精度等方面的优点，使得变频调速技术发挥了交流电机本身固有的优点，解决了交流电机调速性能先天不足的问题。本文先对TMS320F2812芯片和智能功率模块进行了详细的介绍，根据他们的特点设计了通用变频电路设计方案。在实际的应用中可以根据控制方式的需要，制定不同的控制方式，广泛应用于三相异步电机的SVPWM控制。

1 变频调速方式
    交流电机的转速为n1=60f/p，再根据异步电机转差率s=(n1-n)/n1，可知交流异步机的转速公式为：n=n1(1-s)=(1-s)60f/p，其中P为极对数，s为转差率，f为定子供电频率，当p和s为定植时，要改变电机的转速，只需要改变f就可以了，根据控制方式的不同，一般可以分为三种调速方式：在变频调速过程中保持定子电压和定子供电频率之比为常数，即恒磁通变频调速，保持定子电流不变的恒流控制调速方式，保挣恒电磁通调速方式。
    在具体控制上，可以采用VVVF(Variable Voltagevariable Frequency)变频或矢量控制变频控制方式，在电路设计时，需要实时采样相电压以及各相电流，根据控制方式的不同，可以选用不同的算法程序。

2 高速DSP芯片TMS320F2812介绍
    TMS320F2812DSP是德州仪器公司(TI)推出的一款32位高性能数字信号处理器，它是专为控制设计的高速DSP芯片，拥有峰值每秒运行150万条指令(MIPs)的处理速度和单周期完成32×32位MAC运算的功能，再加上两个事件管理器(EVA和EVB)、片上Flash以及片上RAM和AD转换模块，能够实现实时快速的数字信号处理算法，在三相异步电机控制系统中广泛的被采用。
    (1)高性能的32位中央处理器
    主频150MHZ(时钟周期6．67ns)，低功耗(核心低压1．8v，I／O口3．3v)，16位×16位和32位×32位乘且累加操作以及16位×16位的两个乘且累加，统一的寄存器编程模式，可达4M字的线性程序地址和数据地址。
    (2)片内存储器
    8Kx16位的Flash存储器
    1Kx16位的0TP型只读存储器
    L0和L1：两块4Kx16位的单口随机存储器(SARAM)
    HO：一块8Kx16位的单口随机存储器
    M0和M1：两块1Kx16位的单口随机存储器
    (3)时钟与系统控制
    支持动态的改变锁相环的频率(PLL)
    片内振荡器
    看门狗定时器模块
    CPU级和外设级中断相结合的控制系统
    (4)丰富的外围设备
    两个事件管理器(EVA、EVB)
    串行外围接口(SPI)
    两个串行通信接口(SCI)，标准的UART
    改进的控制器局域网络(ECAN)
    多通道缓冲串行接口(MCBSP)
    16通道12位的数模转换器(ADC)

3 智能功率模块DIP-IPM
    三菱第五代IGBT芯片的DIP-IPM模块是三菱公司总结前四代功率模块的基础上设计的，它弥补了以往功率模块在使用和可靠性方面的很多不足，是专为三相电机驱动设计的功率模块。其特点如下：提高可靠性和马达效率(死区时间减少)，单电源15V供电，实现低损耗；热阻低，易于散热，简化了设计空间，低成本单模封装，方便了集中安装接散热片，为设计高集成度的电机控制器提供了便利；内置短路、欠压保护电路。且不需要高速光耦隔离，明显减少了电机的死区时间；输入接口电路采用高电平驱动逻辑，消除了旧产品低电平驱动方式对电源投入和切断时的时序要求。增强了模块自保护能力；输入信号端内置下拉电阻，外部无须再下拉电阻，可直接由DSP或3V级单片机驱动。

    如上图所示，图1为IPM模块的上驱动部分，图2为IPM模块的下驱动部分。一个完整的DIP-IPM模块包括三个上驱动部分和一个下驱动部分，在图1中给出的只是U相的驱动电路，V、W相与U相的电路完全相同。下面就结合内部结构对模块进行说明。
    UP，VP，WP，UN，VN，WN，控制信号输入端子，此为控制开关运行的信号输入端子，信号为电压型。这些端子在模块内部与5V CMOS施密特触发电路相连。各信号线可直接与单片机输出口连接，无需接光耦隔离。
    P为逆变器直流母线的正电源端。在模块内部，此端与上臂IGBT的集电极相连。为抑制直流母线引线和PCB上寄生电感引起的浪涌电压，应在非常靠近P，N端子处加平滑电容或具有良好频率特性的小薄膜电容。
    N为逆变器直流母线的负电源端(主电路地)。在模块内部，此端与下臂IGBT的发射极相连。