·上一文章:PCB抄板之PROTEL到ALLEGRO的转换技术2
·下一文章:基于Matlab和Simulink仿真环境的CANbus专用工具包
3 系统功耗优化实例
3.1 FPGA读写SRAM系统设计
FPGA读写SRAM的简单系统如图4所示。
为了与理论值比较,要求该系统功耗为可测的。通过控制线rst和CE的电平高低来控制FPGA和SRAM工作状态,通过测量电压和电流可得到此时系统的功耗:当rst为低时,FPGA和SRAM都为空闲状态,测得的功耗为PFi+PSi(PFi为FPGA在idle状态的功耗,PSi为SRAM在idle状态的功耗,PFw为FPGA在work状态的功耗,PSw为SRAM在work状态的功耗,下同);当rst为高,CE为高时,FPGA为工作状态,SRAM为空闲状态,测得的功耗为PFw+PSi;当rst为高,CE为低时,FPGA和SRAM都为工作状态,测得的功耗为PFw+PSw。由SRAM数据手册得知,PSi在?滋W量级[6]时可忽略不计,所以控制线与所测得功耗关系如表1所示。
选取读写频率与读写时间占空比两个因素分别做为功耗影响因素x、y,当系统数据线位宽为8 bit时,在满足系统数据读写率为6 KB/s的前提下,只要x·y=6 K/s便能满足,如(6 kHz,1)、(12 kHz,0.5)、(1 MHz,0.006)等。在理想状态下,当整体翻转率一样时,功耗是一样的,与读写频率和读写时间占空比无关。但是实际中由于FPGA逻辑实现的差异,所以功耗会有差别,需要考虑x和y的取值来选择一个功耗最小点。这里考虑的读写频率x的范围为0.5 MHz~9 MHz,故读写时间占空比y的范围为6.7·10-4~0.012。