低电容 ESD 保护对于高速条件下保持数据的完整性是非常关键的。在常见的瞬间过电压抑制器件中，金属氧化物压敏电阻(MOV)和多层压敏电阻(MLV)因价廉物美而应用广泛。但其固有的高电容决定了其应用范围只能局限于低频领域和电源的瞬间电压抑制上。而硅类ESD防护器件，包括齐纳二极管、TVS二极管／阵列等，虽然具有保护电压低而准确的优点，其寄生电容依旧不可忽视，通常难以适用于高速数据通讯接口，如HDMI，IEEE1394等。

为满足高速数据通讯接口既ESD保护有效、又不影响高速信号传输的要求。近年来，市场上推出了多种专门适用于此类保护要求的器件。其中以瑞侃电路保护部门（RCP: Raychem Circuit Protection）推出的PESD器件为代表。该器件的电容极低（通常0.25pF），漏电流极小（<0.001A）；ESD防护快速有效（响应曲线如图3所示，触发电压典型值为150V~250V；响应时间小于1ns）；价格低于低电容硅器件。因此，在高速数据传输条件下，PESD器件拥有更佳的保护应用特性。该器件已成功应用于HDMI1.3和USB2.0等多种高速接口电路。

图４、图５和图6展示了利用瑞侃电路保护部门PESD器件对HDMI1.3、USB2.0和IEEE1394接口电路进行保护的典型应用。这些保护将 ESD 与敏感电路隔离。在传输线路脉冲(TLP) 测试和IEC61000-4-2 测试中，尤其是经过多次采样（1000次TLP测试）后，其性能要比其他可比较的元件好。相对于其他典型的聚合物ESD防护器件，这类PESD器件的较低触发电压(通常150V)和低箝位电压(通常25V)能更好的帮助保护敏感电子元件。该器件采用电子工业中最流行的0603和0402贴装形式，符合RoHS 的严格要求；帮助机顶盒敏感电路、手提电脑、手机和其它便携式设备免ESD侵害。