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图3将噪声分为两部分。在区域e1中，通过放大器电路的dc增益，我们得到了值为+1V/V的放大器1/f噪声。放大器噪声的这些规范为几纳伏/赫兹平方根。因此，只有当将那个区域的带宽平方根乘以这个区域的平均噪声时，该分析才算完成。就CMOS放大器而言，1/f区域通常为从0.1Hz至100 Hz，甚至可以高达1000Hz。由于这一噪声值被带宽平方根相乘，因此其产生的噪声较低。在区域e2中，放大器的宽带噪声被放大器电路增益（还是 +1 V/V）和带宽平方根相乘。
图3 典型的RTI噪声评估
每一个区域都会对整个电路噪声产生影响：
放大器输出端的总体噪声为：
利用这一计算，放大器输出端的1/f噪声SNR为：
利用TI的SPICE仿真工具TINA-TITM，我们可以验证这一噪声计算的正确性。请登录 www.ti.com.cn/amplifier 查找该工具。
图4中的两个曲线图展示了TINA-TI如何帮助我们了解电路中的噪声。图4 (a) 显示了一个放大器的仿真噪声响应。图4 (b) 显示了频率增加时的累积噪声。需要注意的是，在图4 (b) 中，该噪声在较低频率下时非常低，这是因为，较低带宽被一个小数（即带宽）的平方根相乘。当频率增加时，累积噪声也随之增加。有人会认为，由于图4 (a) 的特点，在较高频率下噪声的增加会更少。正如我们所看到的一样，并非如此，因为带宽乘法器（带宽的平方根）在高频时更大。
