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除了裸芯片，IR亦将提供专有的芯片载体解决方案。该方案附有正面金属可焊IGBT，来支持那些生产线没有能力处理裸芯片的客户。最先进的高性能IGBT是以非常纤薄的晶圆制造，厚度仅为60到70微米。这些硅晶圆既薄且具弹性，就如纸张一样，所以必须使用极为专业的程序和昂贵的器材去处理。很多第一级和第二级的系统供应商都不愿意投资这种昂贵的器材，也不想经历需要长久学习才会熟练的纤薄芯片处理过程，更不希望要承受薄芯片处理期间非常高的良率耗损。
IR推出的这种贴在专有芯片载体上的新款汽车功率开关将会把上述顾虑一扫而空。我们将提供预先贴上IR大型芯片(IGBT及MOSFET)的标准化专有芯片载体。它们随后会成为客户电源模块的一部分，比方说，我们的DirectFET2金属外壳变成PCB电路的一部分，并且让每一个人都可以利用最精密的IGBT和薄芯片，而不用使用薄芯片器材。IR作为硅技术专家，将负责最困难的部分，也就是把薄芯片制成基片的制造过程，还有在裸芯片和晶圆层面的开关最后测试，都会一一解决。只要利用IR的汽车用正面金属可焊产品线，即使标准的安装机械和焊接器材也将足以应付非常先进的功率模块或ECU概念。
对我们的客户和系统设计师来说，新器件的最大好处并不单单在电力性能上的改进，更好的开关效能、经过优化的双面散热 (我们能够增加最少50%的整体热交换面积、减少35%的RthJC，以及提高大约25%的硅电流密度)，还有简单的制造过程都是重要的优点。另一个非凡的效益，将在与应用相关的系统布置和应用尺寸，以及在汽车的寿命要求层面上实现。当键合线在相对耐用的DBC模块中或功率周期压力中的首个失效模式中脱离，采用IR专有正面金属可焊技术的无键合线IGBT将有机会将功率周期能力延展一个量级。
图4展示了IR正在运行的功率周期测试。这个测试针是针对一个客户的定制IGBT系统，将在几个10,000温度周期后发生的键合线脱离故障，与使用无键合线系统进行相同持续周期测试所得的结果作出比较，可以看到结果显示出极大的分别。借助大幅度的可靠性延展，功率周期能效系统设计师便能缩小他们的功率级尺寸。
图4：在专有客户陶瓷封装中，键合线IGBT与无键合线双面焊接IGBT的功率周期能效比较。上面两个图表显示不同的温度压力状况，每一条色带代表测试中的各个独立器件。
为了避免在实际应用中过早出现键合线脱离故障，设计师通常会采用昂贵的基片和散热器方式，再加上过大尺寸的功率开关来降低每个功率周期的Delta-T温度摆动。相较而言，一个无键合线系统的芯片尺寸可以大幅减小，同时系统能够在更严苛的周期条件下运作更长时间。这表明，汽车中的逆变器、直流-直流转换器和其它电源管理应用得以通过正面金属可焊器件显著降低系统成本。设计师因而可以在性能、可靠性等多方面取得改善。
为了帮助系统设计师以适当的控制IC来完成整个功率级开发工作，IR提供了多款汽车用驱动器IC选择，可满足先进逆变器、转换器、电源拓扑和系统要求。我们专有的汽车用高/低电压栅极驱动器拥有卓越的耐用性和闭锁抗扰性。在低于75V的电压范围内，设计可基于专有智能功率程序操控驱动器，实现非常大的电流开关。当电压介于100V到1,200V之间时，IR也提供了一个极高电压接口隔离驱动器IC系列，该系列配备市场领先的负瞬态电压尖峰安全操作区 (NTSOA) 。IC的失效模式，通常由于采用大电流电感负载实现开关半桥，因而造成大的负电压尖峰，被称为闭锁效应。这些IC都是以耐用性和闭锁抗扰性为目标来设计，是驱动拥有极高电流密度的大型IGBT(诸如正面金属可焊器件)的最佳选择。如果系统设计师需要更大的驱动电流，也可利用器件所提供的缓冲IC来提供最大10A电流的能力。
总之，IR提供一系列的器件，让汽车功率系统设计师可以为非常先进的“无线”电源管理选择完整的芯片组，从而支持未来汽车的能源效益，即使要在最严苛的环境中完成最艰难的开关任务，这些器件也可应付自如。
