但是，并不是所有扩散到基区的空穴都能被集电极吸引，形成集电极电流。因为在空穴路过基区的时候会和基区(N型区)的多数载流子—电子互相吸引，和电子复合而消失，加之上述基区也有少量的电子会跑到发射区去和空穴复合，形成IC，这两种复合都需要由外电路电池供给负电子，所以形成了基极电流Ib。但因为基区很清(厚度只有万分之一米)，空穴穿过基区的时间只有几亿分之一秒，所以复合的数量是很小的，绝大部分空穴都达到集电极，故集电极电流Ic几乎等于发射极总电流Ie。 

　　这是一个模拟 晶体管 工作状态的FLASH，你现在就可以填入数字或直接按Push开始。 

　　上面讲的是只加固定电压而未加输入交流信号的情况。在加入输入信号之后，加到发射结上的电压就等于电池电压Veb和信号电压之和，由于信号电压是不断变化的，发射结上的电压也就随着信号电压在变动，因而引起发射结阻挡层势垒的高低也作相应的变化。势垒高时，发射极电流Ie小，势垒低时Ie大也就是发射极电流Ie会随着输入电压变化而变化。发射极电流Ie大就说明到达基区的空穴多，穿过基区到达集电结的空穴也就多，结果集电极电流Ic也就大，反之，发射极电流Ie小时，集电极电流也会小。同时，我们也会想象到发射极电流Ie大时，空

穴在基区的复合数目也会多些，Ie小时复合也相应少些，复合电流也是变化的。不过这种变化，由于复合电流本来就很小，和Ie或1c的变化相比是很小的，可以忽略。在这里我们用△Ie代表发射极电流的变化数量，用△Ic代表集电极电流的变化数量。

　　若用△R代表发射结的交变电阻，R代表负载电阻，我们很容易算出电压放大倍数K。如果以Vo表示集电极电流△Ic在负载R上产生的输出电压，Vin表示输入电压，那么 

　　K=Vo/Vin=(△IcR)/(△Ie△R)≒R/△R 

　　由于发射结上加的是正向电压，这个电压变化一点点，流过结的电流就会有很大变化，所以发射结电阻△R是很小的，一般只有几十欧。我们知道P—N结的正向电阻很小，而P—N结的反向电阻却很大，所以集电结的电阻很大，可达几百千欧。因此负载电阻R也可以用的很大(阻抗匹配)，R一般是几千欧到几十千欧，所以R／△R就很大，因此从负载上取出的输出信号电压Vc远比输入信号电压Vin大，被放大了很多倍。这就是晶体三极管放大信号的道理。

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