EDO RAM的Precharge（预充电）时间，建议设成4T。

　RAS to CAS Delay Time: 设定DRAM中RAS到CAS延迟时间，建议设定成3T。

　　EDO DRAM Read Timing: 设定EDO DRAM读取时序，建议值如下:

　　70ns DRAM : X－3－3－3； 60ns DRAM : X－2－2－2。

　　DRAM Speculative Read: 此选项是设定DRAM推测性的引导读取时序，建议设定成DISAble。

　　SDRAM CAS Latency: 设定SDRAM的CAS信号延迟时序，建议设定值如下 :

　　15ns(66MHz)/12ns(75MHz) SDRAM: 3

　　10ns(100MHz) SDRAM: 2。

　　SDRAM Timing: 设定SDRAM(同步内存)的时序，建议设定值如下:

　　15ns(66MHz)/12ns(75MHz) SDRAM: 3－6－9

　　10ns(100MHz) SDRAM: 3－4－7。

　　注意：若系统使用SDRAM不稳时，建议将SDRAM速度调慢。

　　SDRAM Speculative Read : 此选项是设定SDRAM推测性的引导读取时序，建议设定成Disable。

　　Pipe Function: 此选项设定是否开启Pipe Function（管道功能），建议设定成Enable。

　　Slow Refresh: 设定DRAM的刷新速率，有15/30/60/120us ，建议设在60us。

　　Primary Frame Buffer: 此选项保留，建议设定成Disable。

　　VGA Frame Buffer: 设定是否开启VGA帧缓冲，建议设为Enable。

　　Passive Release: 设定Passive Release（被动释放）为Enable时，可确保CPU与PCI总线主控芯片（PCI Bus Master）能随时重获对总线的控制权。

　　ISA Line Buffer: 是否开启ISA总线的Line Buffer，建议设为Enable。

　　Delay Transaction: 设定是否开启芯片组内部的Delay Transaction（延时传送），建议设成 Disable。

　　AT Bus CLOCk: 设定ISA总线时钟，建议设成Auto。

　　Power Management Setup（能源管理）窗口

　　能源管理功能可使大部份周边设备在闲置时进入省电功能模示，减少耗电量，达到节约能源的目的。电脑在平常操作时，是工作在全速模式状态，而电源管理程序会监视系统的图形、串并口、硬盘的存取、键盘、鼠标及其他设备的工作状态，如果上述设备都处于停顿状态，则系统就会进入省电模式，当有任何监控事件发生，系统即刻回到全速工作模式的状态。省电模式又分为“全速模式(Normal)、打盹模式(Doze)、待命模式(Standby)、沉睡模式(Suspend)"，系统耗电量大小顺序:Nor

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