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当A>10dB时，一般可以不计多次反射损耗。
2.4 屏蔽效能计算实例
场源距离不同材料的屏蔽体（厚度0.254mm）30cm远的屏蔽效能（dB）计算结果见表1。表1中近场和远场的分界点为λ/2π，λ为电磁场的波长。
表1 场源距离不同材料的屏蔽体（厚度0.254mm）30cm远的屏蔽效能dB
| 频率/Hz | 铜 | 铁 | 铝 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 磁场近场 | 电场近场 | 远场 | 磁场近场 | 电场近场 | 远场 | 磁场近场 | 电场近场 | 远场 | |
| 60 | 3.46 | 3.22 | |||||||
| 1k | 24.89 | 14.66 | |||||||
| 10k | 44.92 | 212.73 | 128.73 | 51.50 | 217.50 | 134.00 | |||
| 150k | 69.40 | 190.20 | 130.40 | 188.0 | 308.0 | 248.00 | |||
| 1M | 97.60 | 185.40 | 141.60 | 391.0 | 479.0 | 435.00 | 88.00 | 176.0 | — |
| 15M | 205.0 | 245.0 | 225.0 | 1102.0 | 1143.0 | 1123.0 | 174.0 | 215.0 | — |
| 100M | 418.0 | 426.0 | 422.0 | 1425.0 | 1434.0 | 1430.0 | 342. | ||
3 屏蔽的注意事项
3.1 屏蔽的完整性
如果屏蔽体不完整，将导致电磁场泄漏。特别是电磁场屏蔽，它利用屏蔽体在高频磁场的作用下产生反方向的涡流磁场与原磁场抵消而削弱高频磁场干扰。如果屏蔽体不完整，涡流的效果降低，即屏蔽的效果大打折扣。
3.2 屏蔽材料的屏蔽效能和应用场合
电磁屏蔽技术的进展，促使屏蔽材料的形式不断发展，而不再局限于单层金属平板模式，屏蔽效能也不断提高。应用时要特别注意不同的屏蔽材料具有不同的屏蔽效能和应用场合。
3.2.1 金属平板
电子设备采用金属平板做机箱，既坚固耐用，又具有电磁屏蔽作用。其电磁屏蔽效能与金属平板材料性质、电磁场源性质、电磁场源与金属平板的距离、屏蔽体接地状况等参数有关。各种金属屏蔽材料的性能见表2。
表2 各种金属屏蔽材料的性能
