功率LDM0 S中的场极板设计

来源：本站整理作者：佚名 2010-07-09 08:53:00

由于2、4、5区中纵向电场和横向电场相比可忽略，可近似认为

其他各区的对应的耗尽层厚度可由得到，而由[2]可定义

    根据漂移区表面电场和电势的连续性可得出边界条件

    将上式在x方向微分，解得

式中Ui(i=1，2，3，4）的值可由Ei(Li，0)=Ei+1(Li，0)解得。

2 结果和分析

    上图是在器件关态条件下漂移区表面电势和电场分布的理论值。采用的数据如下：

    从图中可以看出，LDMOS处于关态时根据理论模型计算得到的结果和Medici仿真结果的比较。由于本文的模型忽略了氧化层固定电荷，所以和Medici仿真结果有差异较小。由图可见，漂移区的电场峰值出现在p阱／n-漂移区结处、场板的两端与漏端附近。这些电场峰值处也就是最可能的击穿点。