f≈1／RC 振荡周期T≈RC。定时电阻器R1、R4取值为1~2.2kΩ，定时电容器C1、C2取值范围较大，可以从几十皮法至几百微法，振荡频率范围从几赫兹到数兆赫兹。

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f≈1／2.3RC T≈2．3RC 定时电阻器电阻值在100—1000Ω范围内选取，定时电容器C取值范围较大，从几百皮法(pF)至几百微法范围内选取，可以使振荡频率范围从几兆赫兹到几赫兹。把定时电阻器换成电位器(1.5kΩ)，能连...

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利用晶体三极管在负阻区所具有的负阻特性，可以构成弛张振荡器，如右图所示。接通开关SA后，直流电源GB通过电阻R1向电容器C充电，C上电压Uc逐步上升。当Uc上升到晶体三极管VT的击穿电压BVceo时，VT击穿导通并进入 负...

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UPC1651应用电路—— 一个多用途信号发生器电路 电路如图所示,IC1,C1组成400Hz左右的低频振荡器;IC2、C3组成37MHZ左右的高频振荡 器；由C2输出的低频信号对高频信号进行调制。C4和天线构成发射系统。高频振荡器的 ...

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TSS400-S1／S2的典型应用电路如图所示。该系统采用3V锂电池(E)供电，C1、C2为电源退耦电容。晶振频率选32．768kHz。 外部存储器使用两片512字节的24C04型E2PROM。虚线框内表示硅压力传感器。通过温度补偿软件可获得...

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如图所示为56～512kHz高频振荡器电路。它由高频振荡器、告警电路所组成。1．技术指标：(1)频率范围：56～512kHz；(2)输出电平： 5．5±ldB；(3)频率准确度：不超过±20Hz；(4)告警信号...

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如图所示为HCMOS集成电路组成的48MHz晶体振荡器。晶体的基波频率为l6MHz，但振荡器强制工作于三次谐波。谐波振荡器的关键是抑制晶体的基频，图中的并联谐振电路在晶体的基频下谐振，它和晶体SJT...

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如图所示为60MHz晶体振荡器，主要是由晶体振荡电路和缓冲放大电路等组成。晶体三极管VT1为60MHz的晶体振荡器，振荡器的输出送至晶体三极管VT2的缓冲放大器进行信号放大，它的发射极有较大的反馈...

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如图所示为300kHz信号发生器。它由VT1、T1、VD4及相关元件组成压控振荡器。压控振荡器采用LC集电极调谐式，VTl为振荡管，由变容二极管VD4、电容C3～C6和变量器T1的1～3绕组的电感组成调谐回路，变...

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如图所示的高频振荡器，可作为高频信专发生器，选择不同的电容值能够在56～484kHz范围内产生一个高频正弦波。该电路具有剃出波形好、频率稳定度高，输出阻抗低等特点。元器件选择：三极管VT...

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如图所示为70MHz晶体振荡电路。它由晶体振荡器、缓冲放大器、选频放大器等组成。它的主要功能是把晶体振荡器输出的弱信号，通过放大电路，再经选频放大后，输出70MHz的基频频率信号。元器件选...

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如图为70MHz并联型晶体振荡电路。振荡器主要是由三极管VTl、晶体SJT及电容Cl、C5等元件组成。元器件选择：电容Cl为20p，C2为100p，C3、C7为820p，C4为56p，C5、C8为47p，C6为47μF／50V。电...

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如图所示为考毕兹振荡器电路。它带一个基频率晶体，其频率为1499kHz，晶体SJT并接在电容C2、C3两端。射极分压电阻R2、R3提供基本的反馈信号，反馈受电容分压器C2、C3的控制。晶体SJT起振工作后输...

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利用稳压管的齐纳击穿特性，可以得到频率达数百兆赫的高频信号，其电路如图所示。从输出端V01取出的信号是单一频率信号，可以用来调准调谐回路中的谐振频率。从输出V02取出的信号是广谱高频信号...

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如图所示为高频产生点灯器电路。它是以8V～14V的蓄电池作为能源，经振荡升压后再点亮6W～12W的荧光灯。晶体三极管VT可采用3DD12A、D3D4D、3DD5C、3DDl5A等低频大功率三极管，组装时应为其安装70...

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