由于当放电过电流保护时,放电FET晶体管VT2产生的负电压过充电与的大小有关,而与放电FET晶体管VT2的导通和关断驱动脉冲的上升、下降时间有关。故图4中用R3、C5、R4来控制的大小。
用户名: !
分 值:100分 85分 70分 55分 40分 25分 10分 1分
内 容: !
通知管理员 验证码: 点击获取验证码