(b)的短期稳定度

图2 MEMS1谐振振荡器

1～100kHz部分反映了设计的相关信息。MEMS振荡器采用锁相环(PLL)设计，在该设计中MEMS谐振器由M/N合成环路的VCO锁相。MEMS振荡器的相位噪声水平是PLL环路带宽、VCO选择性与主要谐振器的Q值共同影响的结果。石英谐振器器件工作在输出频率，且在输出端没有PLL的附加噪声信号。
相位噪声可在确定的频率区间上积分并从频域转换至时域，以提供抖动值的均方根，如表1所示。这是计算基于石英晶体的谐振器抖动的常规作法，石英晶体的抖动性能通常等于或超过最好的示波器。

短期稳定度
如图2所示，此处给出的短期稳定度数据是在8分钟内每隔0.1s测量稳定在25℃（误差仅零点几度）的振荡器的频率值。各部分均由安捷伦53152频率计数器测试，该计数器利用铷原子频率标准参考源进行工作。频率变化以第一次读数的百万分率为单位显示在图中。

BAW振荡器的图表（此处不再列出，但在完整研究报告中可找到）为大多数人所熟知。对于相同的测试，典型的BAW振荡器偏差低于±0.02ppm，这样会在零偏差图表线处形成一条直线。

数据表明两种技术并不完全一样，同时展示了不同器件的设计与特性。
● MEMS器件的低Q值导致更严重的频率偏差。
● MEMS器件显示了每百万分之几的阶跃变化。这是校正谐振器温度变化的温度补偿电路的特性。该特性可列成PLL电路中的数字变化表从而校正频率。
● MEMS1与MEMS2的设计(两个不同制造商)在数字补偿切换频率上完全不同。
● BAW晶体谐振器更稳定，从而具有更高的谐振器Q值，且没有数字校正信号。
该研究采用已有测量技术对商用BAW与MEMS振荡器的多种不同电特性进行了比较，在此基础上进行了部分讨论，并在表2中做了相应总结。结果表明，两种技术是不可互换的。频率偏差、MEMS振荡器的低Q值与数字温度补偿都造成了许多应用中不可接受的频率波动。

过去尝试以数字方式实现BAW振荡器的温度补偿在市场上没有成功，原因在于补偿阶跃，尽管事实上它比MEMS振荡器中采用的步长明显小很多。例如，目前手机的温度补偿晶体振荡器(TCXO)均采用模拟补偿。
MEMS振荡器看起来非常适用于高振动环境、对定时要求不高的应用以及信噪比要求不高的应用。而具有复合调制方案、非常高速的通信或需要极佳的信噪比性能的应用(如A/D转换器)仍将继续通过BAW器件定时，利用石英的高Q值以及极佳的温度稳定性。