图 4给出了一款研究天线布放处的近场干扰的评估板。如何用大多数高频模拟测试实验室标准设备组成测试平台，详细情况请参看Intersil公司的应用笔记AN1299(http://www.intersil.com/data/an/AN1299.pdf)。测试平台产生1kHz调制的扫描频率RF信号，用1kHz调制信号跟踪RF输入源和到音频放大器输出的信号路径。

天线端接一50Ω电阻，将天线环末端弯曲，宽度约等于集成电路(IC)封装的宽度。图 5给出了天线的布放和外部元件的对称布局，图 6以图表形式示出了近场和远场条件。双SL28291音频放大器的两个放大器(通道)的差分增益配置为10，使两输入端的阻抗相等。通道“A”的电阻5kΩ/500Ω，通道"B"的电阻为500kΩ/50kΩ，电阻值高两个数量级。

在扫描频率为100 kHz～6 GHz范围测量，实验结果表明干扰集中在1.4～2.8GHz范围和3.8～5GHz范围(图7)。频率扫描期间天线的位置如图7右下方所示。注意，初始扫描时天线直接在部件封装上方。在上述干扰集中区采用单个载波频率进行下列测试，测试结果如下：

1.高反馈电阻值比低反馈电阻值更能降低干扰。将天线直接布放在高值电阻上方产生的干扰比布放在低值电阻上方产生的干扰水平低。频率越高，干扰水平越低。这一观察结果与Ghadamabadi以前报道的结果一致。对这两组电阻值，将天线布放在IC上方产生的干扰最小。

2.加RFI电容可能弊大于利。将天线直接布放在高值电阻上方产生的干扰比布放在低值电阻上方产生的干扰水平低。可以看出: 频率越高，干扰水平越低。这一观察结果与Ghadamabadi以前报道的结果一致。不过，将天线直接布放在IC封装上方在两个放大器的输出端产生的干扰要高得多，与电阻值无关。图 6给出了远场天线和近场天线的信号路径。在远场天线条件下，电缆的串联电阻、PCB走线和外部元件形成一低通滤波器和RFI电容。此时，增加RFI电容的这一经验法则对于RF信号进入放大器前消除它是有效的。对于近场天线，低通滤波器阻抗非常小或者没有， RFI电容实际上在放大器输出端得到更高的阻抗。

3. MOSFET输入放大器比双极型晶体管更不易受RFI影响。

将天线直接布放在模块或电阻上方表明MOSFET输入比双极型输入放大器的干扰小得多。这一结论与Fiori以前报道的结果一致。

总之，用增加RFI电容来控制干扰的老经验法则实际上会导致与天线布放位置有关的干扰的增加。系统设计人员在使用RFI电容作为可能的RFI解决方案前，就应该考虑到无线产品设计中天线的位置。高值反馈电阻和MOSFET输入放大器的经验设计法则，对改善近场条件下电路的抗射频干扰能力仍然有效。