综合考虑了上述各种参数，IR公司特别开发出了用于D类音频应用放大器的功率MOSFET，称作为数字音频MOSFET。为了改善其总的D类音频放大器的性能，设计中对尺寸和多个参数进行了专门优化。

如前所述，RDS(on)和Qg是决定MOSFET功耗的关键参数。这些参数与MOSFET的芯片尺寸密切相关，并在它们之间存在着一些折中。大的MOSFET尺寸意味着更低的RDS(on)和更高的Qg，反之亦然。因此，最佳的芯片尺寸将会实现更低的MOSFET功耗，如图6所示。进一步，数字音频MOSFET将保证能提供一个最大的RG(int)，更低的Qrr以及一个高达150°C的TJ(max)，并且能够被装配在像DirectFET这类效率最高的封装内，以便为D类音频放大器应用提供高效率、稳健性以及可靠的器件。

为了简化设计师的MOSFET的选择过程，表2中列举出了一系列为应用进行了关键参数优化的数字音频MOSFET。这些MOSFET采用了最新的工艺技术来实现最佳的参数组合。同时，DirectFET封装技术将寄生电感和电容减到最小，从而降低了EMI干扰。

表2：列举出关键参数的一系列数字音频MOSFET。

进一步，将DirectFET数字音频MOSFET(IRF6445)与合适的控制器加驱动器(IRS2092S)一道使用，就能够实现图7所示的双通道120W半桥D类音频放大器。

对上述参考设计所实测的性能显示，在1kHz处的总谐波失真加噪声(THD+N)只有大约1%左右。当驱动图8所示的4Ω阻性负载时，每个通道的效率达到了96%。其结果，功耗低于常规需求(只有连续额定功率的1/8)。于是，对于120W的D类音频放大器，在正常工作条件下无需采用散热器。此外，驻留噪声仅有170?V，电源电压为±35V。

结论

对于D类音频放大器性能的优化、尺寸和成本而言，像BVDSS、RDS(on)、Qg、Qrr、RG(int)、TJ(max)这些MOSFET参数以及封装都起着关键的作用。然而，不可能以偏概全，因为不同的功率电平需要不同的组合。因此，根据输出功率的要求，设计师必须仔细地选取合适的参数组合来实现放大器的最佳性能，并降低尺寸和成本。数字音频MOSFET中的各种参数必须被优化，才能实现最佳的D类放大器的综合性能。