在版图编辑器(Layout XL Edit)的Verify菜单当中，可以找到DRC，LVS，Extract对应的选项；在完成了必要的参数设置之后，便可以完成电路的物理验证。在做完寄生参数提取之后，便可以利用包含寄生参数的电路完成电路后仿真(Post-layout simulation)，从而得到与实际电路性能更为接近的各项仿真结果。
    (3)实验结果。在完成最终电路的调试后，得到了各项仿真结果。
    图2、图3分别是用电路原理图仿真(即前仿)得到的S参数以及噪声系数FN的实验结果。

    图4、图5是完成版图之后，考虑寄生参数的电路后仿真结果。图4是S参数的后仿真结果。由S11,S22的曲线可知，在2．4 GHz的中心频率附近，S11，S22<－10 dB。可见，输入、输出电路均有比较好的匹配。图5是噪声系数FN的后仿真结果。图6为电路版图。

    与电路的前仿结果相比，后仿真的噪声系数有一定的上升，这说明电路中的寄生参数会使电路的噪声性能恶化。

3 结 语
    结合一个具体的低噪声放大器(LNA)设计实例，采用CHRT的0．35μm RFCMOS工艺，在EDA软件IC 5．1设计环境中设计了一个2．4 GHz的低噪声放大器。设计过程中完成了电路原理图仿真、版图设计以及后仿真。实验结果表明该低噪声放大器具有较好的电路性能。结合设计过程，还介绍了如何运用Cadence软件对CMOS低噪声放大器进行电路设计和仿真。