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再考虑第二级O.5 dB步长增益可以发现,O.95转化为dB值等于-0.445 5 dB。0.9为-0.915 dB,0.85为-1.412 dB,O.8为-1.938 dB,0.75为-2.499 dB,O.7为-3.098 dB。1~0.7之间O.05的间隔对应于dB中基本接近于0.5 dB的间隔。使用这个规律,设计可以如下:
两级VGA就可以实现O~29.5 dB(2.5 dB+27 dB=29.5 dB)增益控制,且步长可以比较精准地达到O.5 dB。由于设计中用的都是电阻的相对值,所以电阻、MOS管开关都受到工艺电压和温度等因素VGA的增益精度的影响会很小。
如图4所示,可变电阻R1是用多晶硅电阻和工作在晶体管区的MOS开关来实现的。开关电阻通常被用在低失真可调模拟模块。MOS晶体管的非线性将产生谐波以及交调失真,这将会降低整个电路的线性度。在文献[11]中,推导出一个近似的公式来接近开关管的非线性特性。
输入电压Vin被转换成非线性电流Iin流入电流模式的VGA放大器。在弱非线性网络中,已经使用Vol-terra级数推导出非线性谐波失真(HD2和HD3)。