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RCT DSl511在信息记录中的应用
来源:本站整理  作者:佚名  2010-04-08 18:11:26



在CE和OE都是低电平,且WE为高电平时,可从数据端口DQ0~DQ7读取数据。在CE和WE都是低电平,而OE为任意电平时,可向数据口DQO—DQ7写入数据。

3 典型应用设计
3.1 硬件电路设计
   
图2是DSl511用于某系统信息记录的电路图。

3.1.1 电源供电和电源检测的实现
   
设计中,未使用VBAUX供电,而采用VCC和内置电池供电。当VCC高于电池电压时,供电由VCC提供;当VCC低于电池电压时,则切换至电池供电。
    由于DSl511具有上电复位功能.故无需再使用专门的电源检测器件。用户仅需将DSl511的RST端与MCU的RESET端相连,且采用同一电源向DSl511和MCU供电。借助DSl51l的上电复位功能,检测电源掉电或故障,以确保MCU处于安全的复位状态直到正常电源恢复且达到稳定。对于需要使用看门狗定时器的系统设计,可将表1中的控制B寄存器的WDE位置l,即可使用DSl511自带的看门狗定时器功能。
3.1.2 晶体和电池选择
   
使用常规RTC必须选择晶体和电池。而DSl511却是例外,因为它具有内置晶体和电池。对于有振动要求的系统设计,采用DSl511可解决晶体和电池的抗振防护问题。
3.1.3 存储器选择
   
采用易失性RAM虽然存取速度较快,但由于其掉电易失性,设计时还需考虑数据掉电保护问题。传统的数据掉电保护是掉电检测电路。当发生掉电时,向MCU发出中断,响应中断后,在中断服务程序中完成数据存储。而用于数据存储的RAM需要加备用电池。因此采用易失性RAM需大量占用硬件资源。而采用非易失性PROM虽然省去了备用电池,但存在使用寿命短、写入时间长的问题。由于写入时间长,还需考虑电路中的大电容,以提供必要的写入电压。如果电压下降到系统无法工作时,数据还没有写完,那么数据存储就会出错。这将产生数据存储不可靠的问题。而DSl511内置SRAM是一种静态RAM,可反复读/写操作,掉电后与时钟共用内置电池以确保数据不丢失。用其存储数据既可省去掉电检测电路和备用电池,又保证存取速度,而且使用寿命长。
3.2 软件程序设计
   
图3给出应用DSl511实现某系统信息记录的主程序流程图。对DSl511的读/写操作只需按照其相关时序即可实现。需要强调的是,初始化DSl51l时应根据实际需求设置寄存器,这样做可减少初始化时间、提高程序执行效率。


4 结语
    将DSl511应用于信息记录,其软硬件设计简单,时间记录准确,给长时间连续正常工作的设备和故障诊断带来方便。目前,采用DSl511设计的信息记录模块已在某系统中通过调试,并取得了良好的效果。在实际应用中借助于DSl511的时钟报警器、SRAM,还可以实现时间锁定和密码保护等功能。

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