举例，假定R1=10 kΩ，RF=50 kΩ，则在BTL模式下电路电压效益为-10，反相端输入等效阻抗为8.3 kΩ，这个取值在推荐范围内。
对于高性能应用场合，R1，RF选用金属膜电阻，这样可降低电路噪声。当RF大于50 kΩ时，由于RF和MOS输入回路容抗的作用，会使电路工作不稳定。这时可在RF两端并一个5pF的电容。这样RF，CF可形成一个低通滤波回路，回路的截止效率可由等式（7）决定。
（7）
例如，当RF=100 kΩ，CF=5pF时，fco=318kHz，这足以超过音频范围。
5．输入电容C1：
在实际应用中，C1可使TPA711的偏置电压稳定，这对确保电路稳定工作很重要。在本例中，C1，R1形成一个高通滤波回路，其角频率由方程（8）决定。
（8）
电容C1的取值对稳定电路偏置电压影响较大。当R1=10 kΩ时，为得到低至40Hz的平坦响应特性，可由等式（9）决定C1取值。
（9）
在本例中，C1为0.40μF，实际应用中C1取值范围为0.40μF～1μF。C1取值还要考虑的影响是通过R1，RF的漏电流，这个漏电流会在电路输出端产生一个失调电压，从而影响输出功率，这点在高增益场合下的影响更明显，所以实用中C1应选用钽电容或瓷片电容。当使用有极性电容时，正极应接在电路的输入端，这是因为输入端的直流电位为VDD/2的原因，它比信号源的直流电压要高，电容的极性要正确，这点在使用中很重要。
6．电源去耦电容CS：
TPA711是一个高性能的CMOS音频放大器，为了使电路的总谐波失真尽可能低，则要求电源的去耦要好。电源的去耦还可以消除由于电路的扬声器引线过长而引入的振荡。比较好的去耦是采用不同类型的两个电容并联，小容量，低等效串联电阻（ESR）的小容量电容用来吸收高频噪声干扰，如电火花，在引线上数字杂乱干扰躁声等。而对滤除低频噪声信号，应选用铝电解电容器，容量应大于10μF。
7．中路旁通电容CB：
电容CB有几个作用：
1） 在电路启动或由关断模式的再启动情况下，CB决定电路的启动速率；
2） 可降低因输出驱动信号耦合引起电源产生的噪声信号；
3） 可减少电路启动的扑扑声。为使电路启动扑扑声尽量小，CB可由方程（10）决定：
(10)
作为一个例子，取CB=2.2μF，C1=0.47μF，CF=50 kΩ，R1=10 kΩ，将这些值人入方程（10）得出：

18.2≤35.5

可见满足方程（10）。为使电路总谐波失真小，CB应该用等效串联电阻ESR小的瓷片电容或钽电容。
8．单端工作状态
在单端（SE）工作状态下（见图9），负载由VO+驱载。在单端模式下，增益由等式（11）的RF，R1决定。
(11)
在SE模式下，输出耦合电容的选择也很重要，CC对电路其它元件的取值也有影响。它应满足以下公式（12）。
(12)
9．输出耦合电容CC：
在典型的单电源单端（SE）情况下，CC用来在电路输出端与负载间隔直，电路的高通频率由等式(13)决定。
(13)
电容CC的缺点是影响电路频响的下限值，从而影响电路的低频响应。为使下限频率足够低，CC取值应足够大。一般对4Ω，8Ω，32Ω，47Ω的负载，CC应选用330μF以上。表3给出了不同的取值情况下，电路的频响特性。

表3 单端输入时负载阻抗与电路低频特性间的关系

RL	CC	最低频率响应
8	330μF	60Hz
32	330μF	15Hz
47000Ω	330μF	0．01Hz

如表3所示，8Ω负载比较合适，耳机频响特性也很好。
10．SE/BTL工作模式：
TPA711可以很方便地在SE和BTL工作模式下实现转换，这是它最重要的特性，这对电路负载既有扬声器又有耳机的场合下特别有用。当控制端SE/BTL为L时，电路工作于BTL模式，当SE/BTL为H时，电路工作于SE模式。SE/BTL的控制输入可以是一个TTL逻辑电源，更常用的是采用图9所示的电阻分压网络。

图9 TPA711电阻分压网络电路
当耳机未插入时，耳机开关闭合，由100 kΩ电阻分压网络提供一个低电平SE/BTL端子，当耳机插入时，电阻1 kΩ切断，分压网络为SE/BTL端子提供一个高电平，从而完成SE/BTL工作模式转换。

11．采用低等效串联电阻电容：
本电路所有电容都应采用低等效串联电阻的电容，这对提高电路性能很有意义。

12．5V和3.3V工作：
TPA711可以在3.3V～5V范围内正常工作。提供电压不同，输出功率不同。每个TPA711的动态范围为（VDD-1）伏，而对3.3V工作电压下，当VO（PP）=2.3V时，电路出现限幅，对5V供电，VO（PP）=4V时，电路出现限幅。

13．动态范围和热设计：
在正常工作状态下，线性放大器会产生很大的功耗，对典型的CD需要12dB～15dB的动态范围。对TPA711在5V供电电压，负载为8Ω的情况下，它可以输出700mW的峰值功率。现将功率值转变为dB值。有：PdB=101gPw=101g700mW=-1.5dB
可得到无失真条件下的电路动态范围
-1.5dB-15dB=-16.5(15dB的动态范围)
-1.5dB-12dB=-13.5(12dB的动态范围)
-1.5dB-9dB=-10.5(9dB的动态范围)
-1.5dB-6dB=-7.5(6dB的动态范围)
-1.5dB-3dB=-4.5(3dB的动态范围)
再次将分贝值转换为功率值：
Pw=10PDB/10
=22mW(15dB动态范围)
=44mW(12dB动态范围)
=88mW(9dB动态范围)
=175mW(6dB动态范围)
=350mW(3dB动态范围)
表4给出了TPA711在额定功率5V，8Ω，BTL模式下的峰值输出功率，平均输出功率，功耗，最高环境温度间的关系。
表4表明，TPA711可以在DGN封装条件下不使用散热片，在环境温度高达110℃时输出700Mw。D封装下环境温度34℃，不使用散热片，输出功率700Mw。

表 4

峰值输出功率（mW）	平均输出功率	功耗（mW）	D封装（SOIC）	DGW封装(MSOP）
			最高环境温度	最高环境温度
700	700Mw	675	34℃	110℃
700	350mW(3Db)	595	47℃	115℃
700	176mW(6dB)	475	68℃	122℃
700	88mW(9dB)	350	89℃	125℃
700	44mW(12dB)	225	111℃	125℃