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2 高频噪声抑制组件使用中应当注意的一个问题
    迄今为止，本节中介绍过多种高频噪声抑制组件，如果把已经介绍过的片式磁珠、片式共模电感器和片式电容器一起加进去，那么抑制器件的内容是足够丰富了，而且每一种器件的插入损耗和阻抗特性也是足够优良的，但是在实际线路应用时，则未必尽然。究其原因，这些器件的插入损耗都是在测试标准所规定的特定条件(测试用的信号源的内阻是50Ω；测试用的测量接收机的输入阻抗也是50Ω)下进行的。而接入实际线路当中的噪声源和负载(接在高频噪声抑制组件后面的受保护线路)的阻抗却是一个未知数(可能大于，也可能小于50Ω；甚至有可能在某些频点上是大于50Ω，而在另外一些频点上却是小于50Ω)，所以情况非常复杂，使得高频噪声抑制组件的使用效果难于预测。
    为此在图10中给出了高频噪声抑制组件的一般使用原则：当电路是高阻抗的，可选用电容型滤波器(或π型滤波器)；如果电路是低阻抗的，可选用电感型滤波器(或T型滤波器)。如果滤波电路两侧的阻抗相差较大时，则对阻抗低的一侧，采用电感型滤波器；而对阻抗高的一侧，采用电容型滤波器。这种处理会使滤波效果大大提高。

3 片式高频噪声抑制组件的应用例
    1)片式复合绕线型滤波组件应用例
    图11为绕线型滤波组件用在抑制传输线路上的电磁干扰例。在图ll(a)中用低功耗TTL集成电路搭成一个振荡电路，然后在电波暗室中对该电路电磁发射情况进行测试。图ll(b)是在没有任何改进措施下的测试，可以看出在各测试频率点上超差的情况很多，而且传输的波形有失真(见图左侧的示波图)。作为一个改进措施，在振荡器的输出端子上串联一个复合绕线型滤波组件(11(c))，由于滤波组件有优异的滤波特性，使振荡电路电磁发射的高频部分有很大衰减；同时，考虑到复合型滤波组件有非常陡峭的衰减特性，使波形的低频部分得到了很好保留，因此经复合型滤波组件滤波的波形畸变最小。作为与图11(c)的对比，图11(d)在振荡器输出端串了一个三端电容，由于三端电容会同时衰减信号和噪声频率，尤其是低频段的频率，使信号波形产生较大的失真。由此可见，图11(c)是比较好的方案。

    2)片式阻容复合滤波组件应用例(1)
    图12为片式阻容复合滤波组件用在抑制传输线路上的电磁干扰例。图1 2(a)用CMOs电路搭成的振荡器。图12(b)是振荡器输出端未采取任何骚扰抑制措施时在电波暗室中的辐射发射的测试结果，可以看出在许多频率点上的辐射是超标的。另外，要特别提醒注意的是，在图12(b)右侧特别强调印刷电路板有良好的接地层(印刷电路板的背面整个是一个接地层)。图12(c)是在振荡器输出端采用普通二端电容器(100pF)时的噪声抑制情况。图12(d)是在振荡器输出端采用NFR21GD4701012(片式阻容复合滤波组件)时的噪声抑制情况。就图12(c)和图12(d)的辐射噪声测试结果看，难分伯仲，也就是说就目前的接地和采用抑制器件的方式，对辐射噪声的抑制都是有效的。