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对MC68HC908内Flash在线编程的一种方法
来源:本站整理  作者:佚名  2007-12-17 11:02:00



摘要 Freescale公司新推出的MC68HC908系列8位单片机,采用片内Flash取代过去常用的ROM或EPROM,使单片机具有了在线编程写入或擦除的功能,增强了方便性,扩展了其应用范围。本文以MC68HC908QY4为例,详细分析如何利用监控ROM程序实现对单片机片内Flash的在线编程和应用。
关键词 Flash 在践编程 MC68HC908 用户模式 监控模式 ROM


    MC68HC908系列单片机的片内Flash可以在两种模式下在线编程:监控模式(monitor mode)和用户模式(usermode)。两种模式各有优缺点:监控模式需要外部硬件支持,但不需要单片机内部程序的存在,所以适合于对新出厂芯片进行编程写入,或是对芯片的整体擦除或写入;用户模式可以在单片机正常工作时进入,所以常用在运行过程中对部分Flash单元进行修改,特别适合于目标系统的动态程序更新和运行数据存储。在Freescale的许多文档中一再强调在用户模式下调用编程子例程之前,应该先将子例程复制到RAM中去,然后跳转到RAM执行;但是对于RAM区较少的单片机(如MC68HC908QY4),必须利用监控ROM中固化的程序。对于这类单片机,即使是在监控模式下,RAM区同样是不够Flash编程使用的。因此,本文以MC68HC908QY4为例,为开发者提供一种在用户模式下,通过利用监控ROM中固化的程序实现对单片机片内Flash在线编程的方法。


1 Flash编程操作
    用户可以对Flash进行3种编程操作:整体擦除、页擦除和写入。MC68HC908系列单片机提供了闪速存储控制寄存器(FLCR),Flash的写入和擦除操作都是通过设置FLCR中的控制位来完成的。
    目前在FLCR中只有4位是有效的:
    ◇HVEN(高压允许位),用于将来自片内电荷泵的高压加到Flash阵列上;
    ◇MASS(整体擦除位),用于选择擦除方式(=1为整体擦除,=0为页擦除);
    ◇ERASE(擦除控制位),用于选择擦除操作;
    ◇PGM(编程写入控制位),用于选择编程写入操作。
    在对Flash进行编程操作时,必须注意两个单位——页(page)和行(row)。页多用在对Flash进行页擦除操作时,而行多用在对Flash进行编程写入时。对于不同型号的单片机,页和行的定义可能是不一致的(例如MC68HC908GP32,l页等于128字节,1行等于64字节;而对于MC68HC908JL3,l页等于64字节,1行等于32字节);但总的来说,1页都等于2行。
    用户还可以选择对部分Flash进行编程保护。保护区的首地址由Flash块保护寄存器(FLBPR)设定,末地址则固定为$FFFF。受保护的Flash单元将无法被编程擦除或写入。以MC68HC908QY4为例,对Flash进行编程的具体操作步骤如下:
(1)页(整体)擦除操作
    ①置ERASE位为1(整体擦除的同时置MASS位为1);
    ②读出Flash块保护寄存器;
    ③向被擦除的Flash页(整体擦除时为整个Flash区)内任意地址写入任意值;
    ④延时TDVS≥μs;
    ⑤置HVEN位为1;
    ⑥延时Terasc≥lms(整体擦除时为Tmerase≥4ms);
    ⑦清ERASE位为O;
    ⑧延时Tnvh≥5μs(整体擦除时为Tnvh1≥lOOμs);
    ⑨清HVEN位为O;
    ⑩延时Trcv≥1μs后,该Flash页(整体擦除时为整个F1ash区)可以被正常读取。
(2)写入操作
    QY4采用了以行为单位的写入方式,其他某些MC68HC908系列的单片机(如GP32),则采用以页为单位的写入方式。
    ①置PGM位为1;
    ②读出Flash块保护寄存器;
    ③向行地址范围内任意Flash单元写入任意值;
    ④延时Tnvs≥10μs;
    ⑤置HVEN位为l;
    ⑥延时Tpgs≥5μs;
    ⑦向行内目标地址写入编程数据;
    ⑧延时Tprog≥40μs;
    ⑨重复①~⑧的步骤写入编程数据,直至同一行内各字节编程完毕;
    ⑩清PGM位为O;
    ⑾延时Tnvh≥5μs;
    ⑿清HVEN位为0;
    ⒀延时Trcv≥1μs以后,该Flash页可以被正常读取。


2 Flash的在线编程方法
    HC08系列MCU出厂时,Flash区包含了字节数不同的监控ROM程序。监控ROM程序包含了HC08系列所共有的基本子程序。在用户模式下,监控ROM程序所在的Flash空间可以很方便地读出。如果读者感兴趣编写一个读Flash的程序,再通过串口发送到计算机端,然后利用CodeWarrior中的反汇编程序将读出的代码反汇编,就可以很清楚地看出这些监控程序具体的执行过程。限于篇幅,本文对于程序本身不再一一列出,只在括号中注明各个程序的功能,并通过示例介绍如何使用ROM中的程序。下面以MC68HC908QY4为例,详细介绍如何通过ROM程序实现对Flash的在线编程。
2.1 程序中使用的变量
   
表1详细列出了程序所定义变量的地址和功能。

2.2 基本的程序模块及其使用示例
   
例1 GETBYTE 通过一个I/O引脚接收一个字节数据。
    如果该I/O引脚作为输入口,而且有上拉电阻,那么就可以调用GETBYTE。

   
    例2 RDVRRNG①读取Flash指定区间的数据,并将读到的数据发送到上位机;②读取Flash指定区间的数据,并与RAM中的数据表作比较。
    ①读取地址$F000~$F010的数据并发送。

   
    ②读取地址$E800~$E8lF中的数据并与RAM中的数据作比较。如果相同,则标志位C置位;否则,标志位C清零。

   
    例3 ERARNGE①页擦除;②整体擦除。
    ①擦除页#$EE00~#$EE3F。

   
    ②由于是整体擦除的,因此不需要末地址。程序只须将首地址存放到H:X寄存器中。示例将擦除#$F000~#$FFFF。

   
    JB8和JL/JKxx(E)的Flash保护寄存器(FLBPR)不在整个Flash中。由于只要系统上电复位,芯片便会根据FLBPR把某一块地址卒间保护起来,因此在使用这条指令之前首先要擦除FLBPR。
    例4 PRGRNGE将RAM中的一段数据下载到指定的Flash地址区间内。
    由于在下载程序到Flash之前,必须保证这一块地址空间是空的,所以PRGRNGE应该与ERARNGE结合使用;而且在调用PRGRNGE程序之前必须调用延时子程序DELNUS,用于产生适当的延时。对于几乎所有的HC08单片机,下载区间没有特定的限制,但是对于MC68HLC908QT/QYxx,下载区间必须在同一行内。

   

                
    例5 DELNUS用于产生适当的延时。
    DELNUS的两个参数分别存放在累加器A和X寄存器中,其中A>l,X>1。累加器A中的值为CPUSPD=4×fop。计算公式为DELNUS=3×A×X+8。示例中,已知延时为100μs,要求计算A和X的值。具体的运算过程如下:
    ①计算100μs的延时需要多少总线周期。
    Bus_cycle=100μs×8MHZ=800cycles
    ②计算A的数值。 A=CPUSPD=4×8=32
    ③计算DELNUS程序运行(1da、ldx、jsr)需要的周期数N。 N=2+2+5=9
    ④计算X的值。由方程DELNUS_100us=800=DELNUS+9=3×32×X+8+9,可得X=8,则程序为:

   

结语
    不同类型的单片机,各程序模块的入口地址不同,开发者可以查阅Freescale的技术资料,找出这些程序模块的入口地址。这里还有一点要说明:若要用这种方法对Flash进行在线编程,则该型MCU必须具有本文第2部分所描述的程序功能模块。本文的目的就是想以MC68HC908QY4为例,为开发者提供一种对片内Flash在线编程的方法,由此获得更多、更好的应用。

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