图3 5V及12V熔丝的系统原理图
电子熔丝最少需要1个外部元件。电流感测电阻是必需的,且必需选择这电阻来设定限流至所期望的电平。可以增加其他元件来改变器件的功能。这些元件有内部压摆率(dv/dt)控制电路,会在约1.5ms的时间间隔内提升输出电压。在dv/dt引脚至地间增加外部电容还能延长这时间。也能够使用启用(enable)引脚至地间的开漏极晶体管来控制这器件。
电子熔丝设计为默认导通状态。只有三种条件会导致它们关闭,否则FET会启用。这些条件是:
①达到了热限制值;
②输入电压不符合欠压锁定(UVLO)要求;
③启用(enable)引脚拉至低电平。
如果上述条件一个都没有符合,这器件将处理于导通状态,为负载提供电流。
2过压钳位
过压钳位功能保护负载免受可能损害其电路的输入瞬态的影响。输出电压达到电路设定点(12V器件的额定电压为15V,5V器件的额定电压为6.7V),主FET的栅驱动将减小,器件将充当线性稳压器工作。只要未达到热动作限制值,这种工作模式就能够无限地维持。过压电路不会直接关闭器件。这特性使这芯片能够保护负载免受过压瞬态影响,同时使负载能持续工作。
图4中,应用了持续时间数毫秒(ms)的25V瞬态,输出电压钳位至安全的电平。只要瞬态存在,这电路就一直钳位,只是芯片耗散的功率会有不同。
图4 12V电子熔丝对25V浪涌的瞬态响应
3启用(enable)电路
启用电路使用户能够控制器件,并在发生热关闭时提供信号。这是一种三态信号,同时发送及接收信息,能够监测这信号以检测芯片的状态。如果用户选择不用这个引脚,它只需保留在开路状态,器件会自己控制。
图5显示的是这电路的信号电平,而图6显示的是等效原理图。在正常工作中,内部电流源将启用引脚上拉至4.3V。如果发生热故障,由于过大直流电流、限流或过压保护原因,这器件将关闭,热逻辑将把这信号下拉至1.6V电平。
图5 启用/故障信号电平
这电平能够由微处理器或其他电路来监测并提示发生了热关闭。启用引脚下拉至地时热闩锁会复位。热释放完毕后,芯片将重启。
图3所示电路中,二者的启用引脚连接在一起。这些芯片的设计支持3个器件连接在一起,启用引脚将使这些芯片能相互通信。如果任何一个芯片进入热关闭状态,所有连接在一起的器件都将关闭,直到启用引脚拉至低电平前。启用引脚拉至低电平将会把热过载的芯片上的闩锁复位,且所有芯片都将同时导通。
4 dv/dt(slew率控制)电路
为了控制系统的导通浪涌电流及电子熔丝负载的电压,集成了dv/dt电路来提升输出电压。控制输出电容两端电压的dv/dt率会迫使恒定电流流动,直至输出电压等于输入电压。
内部电容设定5 V电子熔丝的上升时间(ramp time)为1.4ms,而设定12V器件的上升时间为0.9ms。若有需要,在这引脚上增加额外的电容能延长上升时间至数百毫秒。
5 UVLO
芯片的输入处于安全范围之前,内部欠压锁定(UVLO)电路将关闭输出。12V电子熔丝的UVLO设定为8.5V,而5V器件设定为3.6V。
6 热保护
裸片上热保护功能使这些器件极为坚固。这功能监测功率FET的温度,并在温度达到关闭点的事件中启动热关闭。这就保证FET工作在安全区域(SOA)。结合这个功能及限流电路,这些器件唯一的失效模式就是超过额定输入电压。
图6 启用/故障内部电路
目前的器件有热闩锁电路,在发生热故障时会关闭器件。然后芯片能通过下拉启用引脚至地并释放热,或是重新启动输入电源来重启。
结语
在众多应用中,电子熔丝有明显的优势。对于较大电流的应用,低导通阻抗垂直MOSFET的优势是设计人员在下一个设计中考虑选择电子熔丝方案的另一个原因。