2．2 us电压源单独作用
    由于电容容抗很小(可忽略)，因此电容对交流短路，+UCC电压源不作用短路，又由于半导体晶体管是非线性元件，管子的工作信号为交流低频小信号，即曲线小范围可近似直线(线性)，故半导体晶体管非线性元件可近似为线性元件。其基极b和发射极e间可以用线性电阻rbe代替，它反映了低频小信号时输入回路电压与电流间的关系，rbe称晶体管的输入电阻。rbe在低频小信号时，可用计算为。
    
    由上式可知，rbe与直流电流有关，选择不同静态工作点可改变rbe，rbe一般为几百到几千欧。集电极c和发射极e间可用线性授控源βiB(为电流放大倍数)代替，可得图3微变等效电路。从图3可知，ui=ube，并可计算交流基极电流ib：
 

2．3 +UCC电压源和us电压源共同作用
    +UCC电压源和us电压源共同作用，只需要将+UCC电压源单独作用和us电压源单独作用时电压、电流叠加。设ui=Uimsinωt得到图4所示电压、电流的波形图。其中，大写字母为+UCC电压源作用直流量，小写字母为us电压源作用交流量，小、大写字母混合为+UCC，us电压源共同作用瞬时量。
  
    在输入和输出回路中，由于电容C1，C2的作用，只有us电压源作用的交流量ui，uo。从图4可知，ui，uo。两信号相位差180°，即反相。从图4中可以清晰看到的低频小信号放大电路交流信号叠加在直流信号上。由于半导体晶体管只有工作在线性区才能保证输入信号ui不失真放大(转换)为uo信号，因此直流量必须选择的合适。如果直流选择的不合适，会出现如图5所示的电压、电流失真。其中，图5(a)是基极电流iB与基极电压uBE之间的关系曲线，即输入特性曲线。

上一页  [1] [2] [3]  下一页