2 减反射薄膜的材料
    要想将光电池对光反~射引起的损失减至最小，因此必须使反射系数ρ最小，如上分析，对单层减反射薄膜必须满足：
   
    对硅光电池来讲，如果光直接从空气射入电池，n0=1，nSi=3．8，则折射率为1．9时的介质膜为最佳，但是它仅仅对特定波长的单色光为最佳，对于一般的复色光源，邻近特定波长的光，在确定的介质材料和厚度下，由于条件不完全满足，反射光只可能部分地被抵消，虽然ρ有所增大，但对波长较远的光，起不到减反射作用，因此在设计中应选取适当的n1材料和制作合适的膜厚t，才能使其波长落在光源辐射最强的波长附近。
    几种能够作为减反射薄膜的材料和它的折射率列在表1中，可供参考：

    由于氮化硅的折射率为1．9，是很理想的减反射膜材料，所以研究中采用的就是这种材质的减反射膜。氮化硅薄膜的折射率高，其中晶态氮化硅薄膜的折射率为2．0；非晶态氮化硅薄膜的折射率会在其左右一定范围内波动。氮化硅薄膜的厚度和颜色有对应关系，如表2所示。

    厚度可用椭圆偏振仪精确测量。在能够估计厚度范围的情况下，可根据氮化硅薄膜的颜色和表中所列的颜色进行比较，以此来确定氮化硅膜的大约厚度。图2～图4分别为镀膜前、80 nm左右SiN薄膜和65 nm左右的SiN薄膜图示。

3 实验与讨论
    本研究使用德国ROTH&RAU科学仪器研制中心制造的PECVD-SiNA1型设备制备不同厚度的SiN薄膜。
    测试设备用：SENTECH生产SE-400ADV的激光偏振仪；SEMILAB生产的WT-2000的少子寿命测试仪。
    实验材料：材料采用P型(100)的直拉的125 mmx125 mm单晶硅片，电阻率约为0．5～3 Ω·cm，厚度200+50μm。在实验前经过硅片清洗和制绒，磷扩散，等离子刻蚀，去除磷硅玻璃等工艺。
    实验用到的气体有SiH4，NH3，N2。腐蚀溶液为HF酸。SiH4和NH3气体分别用于等离子体增强型化学气相沉积法沉积SiN薄膜，为安全起见，SiH4由氮气稀释至10％，NH3浓度为99．999％。N2主要用于在沉积完薄膜后清洗气路和反应室，它们的纯度都为99．999％。
    PECVD系统主要工艺参数包括射频功率、反应气体组分、气体总流量、衬底温度和反应压力等，这些参数对SiN薄膜的性能有很大影响。
    由于影响PECVD系统淀积效果的参数很多，如气体流量和流量比，工艺腔温度，射频功率，沉积气压等等，而且对不同的PECVD设备会有不同的最佳参数，我们有必要就主要的控制参数进行研究，摸索出在这台PECVD设备上淀积氮化硅薄膜的最佳工艺参数组合。
    在此一共选取了沉积压强(6组)、微波功率(5组)、气体流量比(11组)、工艺腔温度(4组)四个变量。采取改变其中的变量其他三个变量不变的实验方法，最后得出各个变量主要对电池片哪些参数有影响，提出一个可行的最优实验方案。
    通过查阅相关资料，我们总结出SiN薄膜较好的各参数范围：薄膜厚度在70～80 nm之间，膜厚差应小于5 nm，折射率2．0～2．1之间，4 nd在630 nm左右，少子寿命越大越好，腐蚀速率越小。

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