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2 静态分析
图1中所选用的N沟道增强型MOS场效应管Q1的性能参数如下：
跨导gm=0．42 ms，开启电压UT=4 V，UGS=2UT时，漏极电流IDO=0．45 mA。其他元件参数如图1所示。根据图1所示输入回路可得到：
使用Multisim仿真软件选择信号源V1、直流电压源VDD、场效应管Q1、电阻、电容、模拟示波器等创建分压-自偏压共源放大电路仿真分析电路，如图2所示。
选择Simulate菜单中的Analysis命令，然后选择DC Operation Point子命令，在弹出的对话框中的Output Variables选项卡中选择1，3，4节点即场效应管的栅极G、漏极D、源极S作为仿真分析节点，单击Simulate按钮，得到分析结果，如图3所示。
