利用工艺器件联合仿真，在传统的正电源应用的LDMOS基础上对器件的结构参数进行优化设计。图4(a)为pLDMOS在漂移区注入剂量Nd=7 e12cm-2时关态耐压、开态耐压与漂移区长度Ld(μm)的关系，以及在漂移区长度Ld=9μm情况下关态耐压、开态耐压与漂移区注入剂量Nd(cm-2)的关系。其他参数为：n型体区注入剂量5e12 cm-2，Nsink注入剂量3e15 cm-2，P-buffer注入剂量1．5e13 cm-2，沟道长度3μm，栅极场板3μm。从仿真结果可以看出：pLDMOS的关态耐压随漂移区的增加而增大，随漂移区的注入剂量的增大先增大后减小；开态耐压随着漂移区注入剂量的增大而降低，但是在一定范围内漂移区长度对其影响较小。总体上，pLDMOS的关态耐压、开态耐压都在160V以上，完全能够满足8～-100V工作电压(108V耐压)的要求。

    图4 (b)为nLDMOS在漂移区注入剂量Nd=4e11cm-2时关态耐压、开态耐压与漂移区长度Ld(μm)的关系，以及在漂移区长度Ld=15μm情况下关态耐压、开态耐压与漂移区注入剂量Nd(cm-2)的关系。其他参数为：p型体区注入剂量5e13 cm-2，Psink注入剂量3e15 cm-2，N-buffer注入剂量1e13cm-2，沟道长度3μm，栅极场板3．5μm。相对于pLDMOS，漂移区注入剂量和漂移区长度对于开态耐压、关态耐压的影响不大。同时关态耐压都能维持在180V以上，但是开态耐压却只有90～120V，不能满足8～100V工作电压(108V耐压)的要求。nLDMOS开态耐压问题成为电路、器件设计的关键。
    针对nLDMOS器件开态耐压低的问题，有针对性地仿真了沟道长度、多晶硅栅场板长度及体区浓度对开态耐压的影响。图5(a)为nLDMOS的关态耐压、开态耐压及阈值与沟道长度(Lch)的关系。可以看出沟道长度对器件的开态耐压和关态耐压影响很小。阈值随着沟道长度的增加而增加，这是由于采用横向双扩散形成沟道，所以随着沟道长度增加，p型体区的浓度越来越大，阈值也就越来越大。图5(b)为nLDMOS的关态耐压、开态耐压及阈值与多晶硅栅极场板长度(LPGAte)的关系。在栅极场板较长时，其对阈值和关态耐压影响很小，当栅极场板缩短到多晶硅栅不能覆盖沟道时，器件的开态耐压大幅增加。这时阈值也迅速增加。虽然多晶硅栅不能完全覆盖沟道，但是由于开态时nLDMOS的栅漏电压差很大，所以仍然能够在表面形成反型层沟道。因此，大幅减短栅极场板能有效提高器件的开态耐压，但是同时也带来了器件不能有效开启的问题。图5(c)为nLDMOS的关态耐压、开态耐压及阈值与体区注入剂量(Pbody)的关系。可以看出增加体区的注入剂量对器件的耐压影响很小。但是随着注入剂量的增加，体区浓度增加，所以阈值就增加，同时器件的开态耐压也随之增加。当体区注入剂量达到5e14cm-2时，阈值增加缓慢，开态耐压却大幅增加，所以只能通过阈值上的牺牲来改善nLDMOS的开态击穿耐压。

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