基于CMOS工艺的锂聚合物电池保护电路设计

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来源：本站整理作者：佚名 2011-09-12 06:14:53

过放电检测电路(VD2)可利用一个二级开环比较器来实现，如图2所示。在设计中应采用差分输入并尽可能地提高增益，以满足精度要求。该电路中，第一级是由MN1,MN2,MP1,MP2,MN3,MN4组成的差分放大器。第二级是由MP5,MN5组成的单级放大器。前级放大器放大输入的差模信号，后一级将前级的输出进一步放大，以达到数字信号的输出电平。该比较器电路的直流增益为：

　　同时，还必须考虑诸如传输时延、输出电压摆率、输入共模范围等性能。鉴于大的偏置电流和小的电容可使摆率得到改善，缩短延迟时间，因此可通过加大偏置电流而达到高速。但是，一般而言，高速比较器也会有较高的功耗。因此在设计时必须在功耗与速度之间进行折衷。相对于处于饱和区的比较器而言，工作在亚阈值区的比较器的延迟时间显着增长，这主要是由于工作在亚阈值区的偏置电流较小，电容充放电需要更长的时间，从而使得延迟时间变长。该比较器具有与差动放大器类似的ICMR(输入共模范围)，其最低输入电压应小于过放电检测基准电压。